特許

J-GLOBAL ID：201003001496510448

太陽電池の製造方法

発明者： 西本 陽一郎
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-163724
公開番号（公開出願番号）：特開2010-245568
出願日： 2010年07月21日
公開日（公表日）： 2010年10月28日
要約：

【課題】特性の高い太陽電池の製造方法を得ること。【解決手段】特性の高い太陽電池を簡単な製造工程で製造することができる太陽電池の製造方法を得るために、本太陽電池の製造方法は、シリコン基板の表面にテクスチャーを有する太陽電池の製造方法であって、金属イオンを含有する酸化剤とフッ化水素酸の混合水溶液にシリコン基板を浸漬して当該シリコン基板の表面に多孔質シリコン層を形成する第一工程と、前記第一工程を経たシリコン基板表面をフッ化水素酸及び硝酸を主とした混酸に浸漬してエッチングしてテクスチャーを形成する第二工程と、を備えることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シリコン基板の表面にテクスチャーを有する太陽電池の製造方法であって、 金属濃度1E-4M以上で金属イオンを含有する酸化剤とフッ化水素酸の混合水溶液にシリコン基板を浸漬して当該シリコン基板表面に多孔質層を形成する第一工程と、 前記第一工程を経たシリコン基板表面をフッ化水素酸及び硝酸を主とした混酸に浸漬してエッチングしてテクスチャーを形成する第二工程と、 を備えることを特徴とした太陽電池の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/308

FI (3件)：

H01L31/04 H ,  H01L21/306 G ,  H01L21/308 B

Fターム (8件)：

5F043AA10 ,  5F043BB03 ,  5F043FF10 ,  5F151AA03 ,  5F151AA16 ,  5F151CB21 ,  5F151GA04 ,  5F151GA15