ハイブリッド金属半導体ナノ粒子、光誘導荷電分離方法およびその応用

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：柏原三枝子 , 高橋剛一 , 柴田雅仁 , 米村道子
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-549890
公開番号（公開出願番号）：特表2010-519057
出願日： 2008年02月20日
公開日（公表日）： 2010年06月03日
要約：

本発明は、酸化還元反応および水分解など、多様な化学反応の光触媒に関するハイブリッド金属半導体ナノ粒子の開発および使用を開示する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

光誘導電荷分離および電荷キャリの電荷アクセプタへの移動方法において: a)可視(400-700nm)から近赤外(NIR)領域(0.7-3μm)において吸収開始がある、少なくとも1つの金属/金属合金量と、少なくとも1の半導体領域とを有する少なくとも1のナノ粒子を提供するステップと; b)前記媒体において、前記少なくとも1のナノ粒子を少なくとも1の電子アクセプタおよび少なくとも1の電子ドナーに接触させるステップと; c)選択的に、前記少なくとも1のナノ粒子、少なくとも1の電子アクセプタおよび少なくとも1の電子ドナーを含む媒体に、可視および/または近IR領域および選択的にUV領域の放射を用いて照射するステップと;を具え、これにより、前記少なくとも1のナノ粒子の金属/半導体境界面において電子-正孔対の形成し、それに続く電荷分離と、電子および正孔の前記少なくとも1の電子アクセプタおよび前記少なくとも電子ドナーそれぞれへの移動とが可能となることを特徴とする方法。

IPC (4件)：

B82B 1/00 , B01J 35/02 , B82B 3/00 , C01B 3/04

FI (5件)：

B82B1/00 , B01J35/02 J , B82B3/00 , B01J35/02 H , C01B3/04 A

Fターム (44件)：

4G169AA02 , 4G169BA48A , 4G169BB02A , 4G169BB11A , 4G169BB13A , 4G169BC16A , 4G169BC17A , 4G169BC18A , 4G169BC21A , 4G169BC26A , 4G169BC27A , 4G169BC30A , 4G169BC34A , 4G169BC50A , 4G169BC57A , 4G169BC62A , 4G169BC65A , 4G169BC70A , 4G169BC71A , 4G169BC72A , 4G169BC74A , 4G169BC75A , 4G169BD05A , 4G169BD06A , 4G169BD07A , 4G169BD08A , 4G169BD09A , 4G169CA07 , 4G169CA08 , 4G169CA10 , 4G169CB02 , 4G169CB07 , 4G169CB35 , 4G169CB81 , 4G169DA08 , 4G169EA02X , 4G169EA03X , 4G169EB19 , 4G169HA01 , 4G169HA02 , 4G169HC21 , 4G169HC28 , 4G169HE09 , 4G169HF03

引用特許：

審査官引用 (3件)

光触媒検出用指示薬
公報種別：公表公報出願番号：特願2006-505943 出願人：ユニバーシティオブストラスクライド
サイジング組成物、ファイバストランド、織物、およびサイジングしたファイバガラスストランドを洗浄するための方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-621304 出願人：ピーピージーインダストリーズオハイオ,インコーポレイテッド
高い反応効率を有する光触媒
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-065299 出願人：独立行政法人科学技術振興機構

引用文献：

審査官引用 (7件)

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