特許
J-GLOBAL ID:201003002593730017
撮像装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (11件):
前田 弘
, 竹内 宏
, 嶋田 高久
, 竹内 祐二
, 今江 克実
, 藤田 篤史
, 二宮 克也
, 原田 智雄
, 井関 勝守
, 関 啓
, 杉浦 靖也
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-035201
公開番号(公開出願番号):特開2010-192659
出願日: 2009年02月18日
公開日(公表日): 2010年09月02日
要約:
【課題】被写体の状況に応じて白飛び等を回避しつつ、高画質の画像を出力することができる撮像装置を提供する。【解決手段】撮像装置101は、画素回路211の出力信号に応じて、制御電位発生部212eを通じて制御電位を制御することによって、電荷排出の開始電位に対応する電荷排出ゲート212aのポテンシャル障壁の初期の高さを設定する制御部6を備える。これによって、被写体の状況に応じて、撮像装置101のダイナミックレンジを最適化する。【選択図】図17
請求項(抜粋):
それぞれ受光することによって電荷を生じると共に、複数のラスタを構成するように格子状に配置された複数の受光素子と、該受光素子のそれぞれに対応して設けられると共に、前記受光素子で生じた電荷を蓄積しかつ、その電荷の蓄積量に応じた出力信号を出力する複数の画素回路と、を有し、前記出力信号に基づいて構成されるフレームを、時系列に連続して出力する撮像素子を備え、
前記撮像素子は、前記各画素回路から排出された電荷を蓄積するオーバーフロードレインと、該オーバーフロードレインに蓄積された電荷の量に応じた制御電位を出力する制御電位発生部と、前記各画素回路と前記オーバーフロードレインとの間でポテンシャル障壁を構成すると共に、前記制御電位に応じて、前記ポテンシャル障壁の高さを変更することにより、前記画素回路から前記オーバーフロードレインへの電荷の排出態様を変更する電荷排出ゲートと、を有しかつ、前記各画素回路に蓄積されている電荷の一部を、前記各画素回路の出力信号の出力前に前記オーバーフロードレインに排出させる蓄積電荷排出動作を実行可能な蓄積電荷排出回路をさらに有し、
前記画素回路の出力信号に応じて、前記制御電位発生部を通じて前記制御電位を制御することによって、前記電荷排出の開始電位に対応する前記電荷排出ゲートのポテンシャル障壁の初期高さを設定する制御部をさらに備えていることを特徴とする撮像装置。
IPC (2件):
FI (3件):
H01L27/14 A
, H04N5/335 E
, H04N5/335 Q
Fターム (19件):
4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA02
, 4M118DD04
, 4M118DD12
, 4M118FA14
, 4M118FA24
, 4M118FA33
, 5C024CX43
, 5C024CY46
, 5C024EX12
, 5C024GX03
, 5C024GX16
, 5C024GX18
, 5C024GY31
, 5C024GZ06
, 5C024HX28
, 5C024HX29
, 5C024HX30
引用特許:
出願人引用 (2件)
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特許第3996618号公報
-
特開平03-192764号公報
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