特許

J-GLOBAL ID：201003002836173308

成膜装置

発明者： 宮崎 篤
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (2件)： 前田 弘 ,  竹内 祐二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-053450
公開番号（公開出願番号）：特開2010-212277
出願日： 2009年03月06日
公開日（公表日）： 2010年09月24日
要約：

【課題】結晶性の良好な半導体膜を成膜する。【解決手段】処理室10と、処理室10の内部に互いに対向するように配置された第1電極21及び第2電極25とを備え、第1電極21の第2電極25側にはガス導入口23を内部に有する凹部22が設けられ、凹部22は、ガス導入口23から導入された原料ガスのプラズマ状態における電子密度を高めるように構成されたホロー放電部22hと、ホロー放電部22hで解離させた原料ガスの反応を促進させて処理室10の内部に供給するためのバッファ部22bとを有している。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

処理室と、 上記処理室の内部に互いに対向するように配置された第1電極及び第2電極とを備え、 上記第1電極の上記第2電極側に上記処理室の内部に原料ガスを導入するためのガス導入口が設けられ、 上記第1電極と上記第2電極との間に電圧を印加することにより上記原料ガスをプラズマ状態にし、該プラズマ状態の原料ガスに被処理基板を晒すことによって該被処理基板に半導体膜を成膜する成膜装置であって、 上記第1電極には、上記ガス導入口を内部に有する凹部が設けられ、 上記凹部は、上記ガス導入口から導入された上記原料ガスのプラズマ状態における電子密度を高めるように構成されたホロー放電部と、該ホロー放電部で解離させた上記原料ガスの反応を促進させて上記処理室の内部に供給するためのバッファ部とを有している ことを特徴とする成膜装置。

IPC (6件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/509 ,  C23C 16/455 ,  H05H 1/46 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/10

FI (6件)：

H01L21/205 ,  C23C16/509 ,  C23C16/455 ,  H05H1/46 A ,  H05B33/14 A ,  H05B33/10

Fターム (51件)：

3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC11 ,  3K107CC33 ,  3K107FF15 ,  3K107FF16 ,  3K107GG03 ,  3K107GG28 ,  3K107GG32 ,  4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030CA06 ,  4K030CA17 ,  4K030EA05 ,  4K030FA03 ,  4K030KA02 ,  4K030KA17 ,  4K030KA30 ,  4K030LA15 ,  5F045AA08 ,  5F045AB01 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AB22 ,  5F045AC01 ,  5F045AD06 ,  5F045AE21 ,  5F045AF07 ,  5F045BB12 ,  5F045CA13 ,  5F045CA15 ,  5F045DA61 ,  5F045DP05 ,  5F045DQ10 ,  5F045EF05 ,  5F045EH05 ,  5F045EH14 ,  5F045EK07 ,  5F051AA05 ,  5F051CA07 ,  5F051CA08 ,  5F051CA15 ,  5F051CA23 ,  5F051CA37 ,  5F151AA05 ,  5F151CA07 ,  5F151CA08 ,  5F151CA15 ,  5F151CA23 ,  5F151CA37