特許

J-GLOBAL ID：201003003071234288

半導体装置およびその製造方法

発明者： 勝野 高志 ,  渡辺 行彦 ,  山本 武雄 ,  遠藤 剛 ,  藤原 広和 ,  小西 正樹
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所 ,  株式会社デンソー ,  トヨタ自動車株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-327627
公開番号（公開出願番号）：特開2010-153464
出願日： 2008年12月24日
公開日（公表日）： 2010年07月08日
要約：

【課題】 エッチング処理を行わなくても、基底面内転位を有する半導体層から結晶成長された半導体層に基底面内転位が伝播することを防止することができる技術を提供する。【解決手段】 本発明の方法は、半導体層2の表面2aにおける基底面内転位6の位置8を特定する特定工程と、特定工程で特定された位置8において結晶の再配列を行う結晶再配列工程と、結晶再配列工程の後に表面2aから半導体層を結晶成長させる結晶成長工程とを備えている。本発明によると、結晶成長された半導体層に基底面内転位6が伝播しない。基底面内転位6が結晶成長された半導体層に伝播していないために、リーク電流を抑えることができる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

第1半導体層の表面における基底面内転位の位置を特定する特定工程と、 特定工程で特定された前記位置において結晶の再配列を行う結晶再配列工程と、 結晶再配列工程の後に前記表面から第2半導体層を結晶成長させる結晶成長工程と、 を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872 ,  H01L 21/329 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/66 ,  H01L 21/268

FI (6件)：

H01L21/20 ,  H01L29/48 P ,  H01L29/91 A ,  H01L29/78 301B ,  H01L21/66 N ,  H01L21/268 F

Fターム (35件)：

4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104GG03 ,  4M106AA10 ,  4M106BA05 ,  4M106CA18 ,  4M106CB19 ,  4M106DH12 ,  4M106DH32 ,  4M106DJ38 ,  5F140AA24 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA16 ,  5F140BC12 ,  5F140BC19 ,  5F140BK13 ,  5F140CE18 ,  5F152LN03 ,  5F152MM02 ,  5F152MM04 ,  5F152MM18 ,  5F152NN03 ,  5F152NN05 ,  5F152NN07 ,  5F152NN09 ,  5F152NQ02 ,  5F152NQ03 ,  5F152NQ06 ,  5F152NQ09