磁気抵抗素子及び磁気メモリ

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (20件)：蔵田昌俊 , 河野哲 , 中村誠 , 福原淑弘 , 峰隆司 , 白根俊郎 , 村松貞男 , 野河信久 , 幸長保次郎 , 河野直樹 , 砂川克 , 風間鉄也 , 勝村紘 , 河井将次 , 佐藤立志 , 岡田貴志 , 堀内美保子 , 竹内将訓 , 市原卓三 , 山下元
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-082741
公開番号（公開出願番号）：特開2010-238769
出願日： 2009年03月30日
公開日（公表日）： 2010年10月21日
要約：

【課題】垂直磁気異方性を有し、かつより大きな磁気抵抗効果を発現する。【解決手段】磁気抵抗素子10は、安定化層11と、非磁性層13と、安定化層11と非磁性層13との間に設けられ膜面に垂直な方向の磁気異方性を有するスピン分極層12と、非磁性層13に対してスピン分極層12とは反対側に設けられた磁性層14とを含む。安定化層11は、スピン分極層12より膜面内方向の格子定数が小さい。スピン分極層12は、コバルト(Co)及び鉄(Fe)からなるグループから選ばれる1つ以上の元素を含み、かつBCT(body-centered tetragonal)構造を有し、かつ膜面に垂直な方向をc軸、膜面内方向をa軸とした場合の格子定数の比c/aが1.10以上1.35以下である。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

第1の安定化層と、非磁性層と、前記第1の安定化層と前記非磁性層との間に設けられ膜面に垂直な方向の磁気異方性を有する第1のスピン分極層と、前記非磁性層に対して前記第1のスピン分極層とは反対側に設けられた磁性層とを具備し、前記第1の安定化層は、前記第1のスピン分極層より膜面内方向の格子定数が小さく、前記第1のスピン分極層は、コバルト(Co)及び鉄(Fe)からなるグループから選ばれる1つ以上の元素を含み、かつBCT(body-centered tetragonal)構造を有し、かつ膜面に垂直な方向をc軸、膜面内方向をa軸とした場合の格子定数の比c/aが1.10以上1.35以下であることを特徴とする磁気抵抗素子。

IPC (6件)：

H01L 43/08 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , G11B 5/39 , H01F 10/32 , H01F 10/16

FI (6件)：

H01L43/08 M , H01L43/08 Z , H01L27/10 447 , G11B5/39 , H01F10/32 , H01F10/16

Fターム (46件)：

4M119AA17 , 4M119BB01 , 4M119CC05 , 4M119DD05 , 4M119DD06 , 4M119DD17 , 4M119DD33 , 4M119DD45 , 4M119EE22 , 4M119EE27 , 4M119FF05 , 4M119FF06 , 4M119FF15 , 4M119FF17 , 4M119HH02 , 4M119HH05 , 5D034BA04 , 5D034BA15 , 5E049AA01 , 5E049AA04 , 5E049AA10 , 5E049BA30 , 5E049CB02 , 5E049DB02 , 5E049DB14 , 5F092AA02 , 5F092AB02 , 5F092AB08 , 5F092AC12 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB34 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BC12 , 5F092BC13 , 5F092BE03 , 5F092BE06 , 5F092BE12 , 5F092BE13 , 5F092BE21 , 5F092BE25

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