パワーMOSFETと電池監視装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：徳若光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-115136
公開番号（公開出願番号）：特開2010-267640
出願日： 2009年05月12日
公開日（公表日）： 2010年11月25日
要約：

【課題】信頼性と新規機能を実現したパワーMOSFETと、部品点数の削減や多機能化を可能とした電池監視装置を提供する。【解決手段】パワーMOSFETは、半導体基板の第1主面と第2主面にソース,ドレインが形成され、半導体基板の厚み方向に流れる電流を制御するようゲート絶縁膜及び上記第1主面側に第1接続電極が設けられたゲート電極が形成され、上記第1主面側に一端が上記ソース電極に接続可能にされ、他端が第2接続電極に接続された抵抗素子が設けられる。ソース端子と上記ソースを接続し、ゲート端子と上記ゲート電極を接続し、上記検出端子と上記第2接続電極を接続する。電池監視装置の充放電経路に上記パワーMOSFETを用い、上記抵抗素子を監視ICやエラーアンプに必要な保護用に用いる。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

半導体基板の第1主面に形成されたソース領域となる半導体領域及びソース電極と、上記半導体基板の第2主面に形成されたドレイン領域となる半導体領域及びドレイン電極と、上記半導体基板の第1主面と第2主面間の厚み方向に流れる電流を制御するよう形成されたゲート絶縁膜及び上記第1主面側に第1接続電極が設けられたゲート電極と、上記第1主面側に設けられ、一端が上記ソース電極に接続可能にされ、他端が第2接続電極に接続された抵抗素子と、ソース端子、ゲート端子、ドレイン端子及び検出端子と、上記ソース端子と上記ソース電極を接続する第1ボンディングワイヤと、上記ゲート端子と上記ゲート電極の接続電極を接続する第2ボンディングワイヤと、上記検出端子と上記第2接続電極を接続する第3ボンディングワイヤとを有し、上記ソース端子、ゲート端子、ドレイン端子及び検出端子が外部端子とされる、パワーMOSFET。

IPC (9件)：

H01L 27/04 , H01L 29/78 , H01M 10/44 , H01L 21/823 , H01L 27/088 , H01L 27/06 , H01L 21/60 , G01R 19/165 , H02J 7/00

FI (10件)：

H01L29/78 657Z , H01M10/44 P , H01L29/78 653C , H01L29/78 657B , H01L29/78 652Q , H01L27/08 102E , H01L27/06 102A , H01L21/60 301A , G01R19/165 L , H02J7/00 S

Fターム (27件)：

2G035AB03 , 2G035AC15 , 2G035AD03 , 2G035AD10 , 2G035AD13 , 2G035AD20 , 2G035AD49 , 5F044AA10 , 5F044AA19 , 5F048AC06 , 5F048AC10 , 5F048BA01 , 5F048BB19 , 5F048BD07 , 5F048CB07 , 5F048CC01 , 5F048CC06 , 5F048CC18 , 5G503AA01 , 5G503BB02 , 5G503FA14 , 5G503GA01 , 5H030AA03 , 5H030AA04 , 5H030AA10 , 5H030FF43 , 5H030FF44

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