オフセットが低減されている集積センサアレイ

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：小野新次郎 , 社本一夫 , 小林泰 , 千葉昭男 , 富田博行 , 大牧綾子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-278183
公開番号（公開出願番号）：特開2010-156686
出願日： 2009年12月08日
公開日（公表日）： 2010年07月15日
要約：

【課題】コストを大幅に増加させることなく精度を向上したCMOSセンサを提供する。【解決手段】一実施形態におけるCMOSセンサシステムにおいて向上した精度を提供する方法及びシステムは、相補型金属酸化膜半導体基板112上の第1の端子114及び第2の端子116を有する複数のセンサ素子と、第1の端子114を電源に選択的に接続すると共に、該第1の端子114を読出し回路108に選択的に接続するように構成される第1の複数のスイッチと、第2の端子116を電源に選択的に接続すると共に、該第2の端子116を読出し回路108に選択的に接続するように構成される第2の複数のスイッチとを含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

センサシステムであって、相補型金属酸化膜半導体基板上の第1の端子及び第2の端子を有する複数のセンサ素子と、前記第1の端子を電源に選択的に接続すると共に、該第1の端子を読出し回路に選択的に接続するように構成される第1の複数のスイッチと、前記第2の端子を前記電源に選択的に接続すると共に、該第2の端子を前記読出し回路に選択的に接続するように構成される第2の複数のスイッチと、を備える、センサシステム。

IPC (6件)：

G01D 18/00 , H01L 43/08 , H01L 29/84 , G01D 3/028 , G01D 21/02 , G01R 33/07

FI (9件)：

G01D18/00 , H01L43/08 A , H01L29/84 A , H01L29/84 Z , H01L29/84 D , H01L29/84 B , G01D3/04 Q , G01D21/02 , G01R33/06 H

Fターム (43件)：

2F075AA03 , 2F075AA05 , 2F075AA07 , 2F075EE04 , 2F075EE14 , 2F075EE16 , 2F076AA03 , 2F076AA06 , 2F076AA07 , 2F076BA01 , 2F076BD01 , 2F076BD07 , 2F076BD10 , 2F076BD15 , 2F076BE01 , 2F076BE02 , 2F076BE04 , 2F076BE06 , 2F076BE09 , 2F076BE10 , 2G017AA01 , 2G017AB09 , 2G017AD53 , 2G017BA05 , 2G017BA07 , 2G017BA09 , 4M112AA01 , 4M112AA02 , 4M112BA00 , 4M112BA04 , 4M112CA12 , 4M112CA32 , 4M112CA52 , 4M112DA17 , 4M112EA03 , 4M112FA02 , 4M112GA03 , 5F092AA14 , 5F092AB01 , 5F092AC02 , 5F092BA22 , 5F092DA03 , 5F092EA01

引用特許：

出願人引用 (2件)

磁気位置測定装置およびその使用方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-237936 出願人：ドクトル・ヨハネス・ハイデンハイン・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング
モノリシック集積センサ回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-048005 出願人：ドイチェ・アイティーティー・インダストリーズ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクタ・ハフツンク

審査官引用 (2件)

磁気位置測定装置およびその使用方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-237936 出願人：ドクトル・ヨハネス・ハイデンハイン・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング
モノリシック集積センサ回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-048005 出願人：ドイチェ・アイティーティー・インダストリーズ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクタ・ハフツンク

前のページに戻る