トランジスタ固有のコンタクト設計によってトランジスタの性能を向上させるための手法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：鈴木正剛 , 佐野良太 , 村松義人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-506216
公開番号（公開出願番号）：特表2010-526437
出願日： 2008年04月17日
公開日（公表日）： 2010年07月29日
要約：

コンタクト構造(230A,230B)のサイズおよび/または密度を局所的に適合させることによって、例えば、個々のトランジスタ(210,210A,210B)内で、あるいは、より広い範囲で、高性能の半導体デバイス(200)の全体的な性能を向上させることができる。このため、コンタクト構造(230A,230B)と局所的なデバイス特性との間の相互関係に配慮することができる。一方で、従来のプロセス戦略と高い互換性を維持することができる。

請求項（抜粋）：

ドレイン領域(212)およびソース領域(211)を有する第1のトランジスタ(210,210A)と、前記ドレイン領域(212)に接続し、それぞれ第1の目標横方向寸法を有する複数のドレインコンタクト(232,232A)と、前記ソース領域(211)に接続し、それぞれ第2の目標横方向寸法を有する複数のソースコンタクト(231,231A)とを備え、前記第1の目標横方向寸法は前記第2の目標横方向寸法と異なる半導体デバイス(200)。

IPC (6件)：

H01L 21/823 , H01L 27/092 , H01L 29/78 , H01L 29/786 , H01L 21/28 , H01L 21/768

FI (7件)：

H01L27/08 321F , H01L29/78 301X , H01L29/78 613A , H01L29/78 619A , H01L21/28 L , H01L21/90 C , H01L27/08 321C

Fターム (49件)：

4M104BB19 , 4M104DD07 , 4M104EE12 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F033GG03 , 5F033KK01 , 5F033KK25 , 5F033NN33 , 5F033NN34 , 5F033QQ09 , 5F033QQ25 , 5F033QQ37 , 5F033XX19 , 5F048AA01 , 5F048AA08 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BA16 , 5F048BB08 , 5F048BB12 , 5F048BD01 , 5F048BD10 , 5F048BF06 , 5F048BF07 , 5F048BF16 , 5F048BG02 , 5F048BG03 , 5F110AA04 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110GG02 , 5F110GG06 , 5F110GG12 , 5F110HM17 , 5F110NN02 , 5F110NN35 , 5F140AA39 , 5F140AB03 , 5F140AC28 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BH47 , 5F140BJ28 , 5F140CC01 , 5F140CC12

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