特許
J-GLOBAL ID:201003006532799915
半導体ウェハ保護用粘着フィルム及びそれを用いた半導体ウェハの保護方法
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-259094
公開番号(公開出願番号):特開2010-092945
出願日: 2008年10月03日
公開日(公表日): 2010年04月22日
要約:
【課題】 半導体ウェハが薄層化された場合であっても、半導体ウェハの破損を防止し、かつテープカット性などの作業性に優れる半導体ウェハ保護用粘着フィルム、及び前記フィルムを用いた半導体ウェハ保護方法を提供することにある。【解決手段】 4-メチル-1-ペンテンと4-メチル-1-ペンテン以外の炭素原子数5〜8のα-オレフィンとの共重合体であって示差走査型熱量計によって測定した融点〔Tm〕が110〜240°Cの範囲にある共重合体を含んでなり、前記炭素原子数5〜8のα-オレフィンの含有率が1〜60モル%の範囲にある樹脂層Aを含む半導体ウェハ保護用粘着フィルム。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
(1)4-メチル-1-ペンテンと4-メチル-1-ペンテン以外の炭素原子数5〜8のα-オレフィンとの共重合体であって示差走査型熱量計によって測定した融点〔Tm〕が110〜240°Cの範囲にある共重合体
を含んでなり、且つ、前記炭素原子数5〜8のα-オレフィンの含有率が1〜60モル%の範囲にある樹脂層Aを含む半導体ウェハ保護用粘着フィルム
IPC (4件):
H01L 21/304
, C09J 7/02
, B32B 27/00
, B32B 27/32
FI (6件):
H01L21/304 622J
, H01L21/304 631
, C09J7/02 Z
, B32B27/00 M
, B32B27/32 Z
, B32B27/32 E
Fターム (19件):
4F100AK01B
, 4F100AK04B
, 4F100AK07B
, 4F100AK08A
, 4F100AK68B
, 4F100AL01A
, 4F100BA02
, 4F100GB41
, 4F100JA04A
, 4F100JA07B
, 4F100JL13
, 4F100YY00A
, 4F100YY00B
, 4J004AA17
, 4J004AB07
, 4J004CA04
, 4J004CC02
, 4J004FA04
, 4J004FA05
引用特許:
出願人引用 (2件)
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半導体素子の取付け方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-115297
出願人:東芝ケミカル株式会社
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特許3594581
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