特許
J-GLOBAL ID:201003007402039877
スイッチング回路
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
とこしえ特許業務法人
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-039358
公開番号(公開出願番号):特開2010-200401
出願日: 2009年02月23日
公開日(公表日): 2010年09月09日
要約:
【課題】部品点数を増加させずに半導体スイッチング素子への負荷を防止するスイッチング回路を提供する【解決手段】寄生ダイオード104を有する半導体スイッチング素子103と、寄生ダイオード104と同じ方向で、半導体スイッチング素子103と並列接続されたダイオード101と、ダイオード101と直列、半導体スイッチング素子103と並列に接続された可飽和リアクトル102を有し、寄生ダイオード104の立ち上がり電圧をダイオード101の立ち上がり電圧より大きくする【選択図】 図1
請求項(抜粋):
寄生ダイオードを有する半導体スイッチング素子と、
前記寄生ダイオードと同じ方向で、前記半導体スイッチング素子と並列接続されたダイオードと、
前記ダイオードと直列、前記半導体スイッチング素子と並列に接続された可飽和リアクトルを有し、
前記寄生ダイオードの立ち上がり電圧が、前記ダイオードの立ち上がり電圧より大きいことを特徴とする
スイッチング回路。
IPC (3件):
H02M 1/34
, H02M 7/48
, H02M 3/28
FI (3件):
H02M1/34
, H02M7/48 K
, H02M3/28 R
Fターム (24件):
5H007AA06
, 5H007AA17
, 5H007BB06
, 5H007CA02
, 5H007CB02
, 5H007CB05
, 5H007CC23
, 5H007CD08
, 5H007FA01
, 5H007FA09
, 5H007HA03
, 5H730DD04
, 5H730DD41
, 5H730EE10
, 5H730EE45
, 5H730ZZ12
, 5H730ZZ18
, 5H740BA12
, 5H740BB05
, 5H740JA01
, 5H740JB01
, 5H740JB08
, 5H740MM01
, 5H740PP10
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