特許

J-GLOBAL ID：201003008362665121

分子量分画された導電性高分子化合物の製造方法

発明者： 美澄 幸弘 ,  山田 勝弘
出願人/特許権者： 新日鐵化学株式会社
代理人 (4件)： 佐々木 一也 ,  成瀬 勝夫 ,  中村 智廣 ,  佐野 英一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-085689
公開番号（公開出願番号）：特開2010-235790
出願日： 2009年03月31日
公開日（公表日）： 2010年10月21日
要約：

【課題】要求に応じたさまざまな分子量や分子量分布を持つ分子量分画された導電性高分子化合物の製造方法を提供する。この導電性高分子化合物は、厳しい品質が要求されることが多い有機EL材料等の用途に有利に使用できる。【解決手段】分子量分布を有する導電性高分子化合物を、超臨界又は亜臨界状態の二酸化炭素等の流体と接触させて、低分子量の導電性高分子化合物を流体中に溶解させる第一の工程と、第一の工程で得られる低分子量の導電性高分子化合物を溶解した流体から低分子量の導電性高分子化合物を回収する第二の工程又は第一の工程で溶解せずに残った残分から高分子量の導電性高分子化合物を回収する第三の工程を有する分子量分画された導電性高分子化合物の製造方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

分子量分布を有する導電性高分子化合物を、超臨界又は亜臨界状態の流体と接触させて、低分子量の導電性高分子化合物を流体中に溶解させる第一の工程と、第一の工程で得られる低分子量の導電性高分子化合物を溶解した流体から低分子量の導電性高分子化合物を回収する第二の工程又は第一の工程で溶解せずに残った残分から高分子量の導電性高分子化合物を回収する第三の工程を有することを特徴とする分子量分画された導電性高分子化合物の製造方法。

IPC (2件)：

C08F 6/04 ,  H01B 13/00

FI (2件)：

C08F6/04 ,  H01B13/00 Z

Fターム (6件)：

4J100AQ26P ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100DA56 ,  4J100GC10 ,  4J100GC35