特許
J-GLOBAL ID：201003009235201546
薄膜磁気ヘッドの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
ポレール特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-247988
公開番号（公開出願番号）：特開2010-080000
出願日： 2008年09月26日
公開日（公表日）： 2010年04月08日
要約：
【課題】CPP構造の磁気抵抗効果素子の狭小化に伴い、基板上におけるELG(抵抗検知素子)と実素子(磁気抵抗効果素子)のオフセットばらつきが無視できなくなり、MR素子高さの高精度化の隘路となっている。【解決手段】ローバー50の最終浮上面研磨工程において、実素子1の抵抗値が検知可能な領域で、ELG2の抵抗値と実素子1の抵抗値を検知(測定)する(ステップ100)。次に、ステップ100で検知したELG2の抵抗値と実素子1の抵抗値からELG2と実素子1のオフセット値を計算する(ステップ102)。次に、計算したオフセット値を用いて、研磨停止の目標となるELG2の最終抵抗値を補正し、最終ターゲットとする(ステップ104)。そして、ELG2の抵抗値が最終抵抗値に達したとき、ローバー50の浮上面研磨を停止する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に磁気抵抗効果素子を有する磁気ヘッド素子と、研磨加工量を計測するための抵抗検知素子を形成する工程と、
前記基板を切断してローバーを形成する工程と、
前記ローバーの浮上面を研磨する工程と、
前記研磨した浮上面にレールを形成する工程と、
前記ローバーを前記磁気ヘッド素子毎に切断する工程と、を備え、
前記ローバーの浮上面を研磨する工程は、
前記抵抗検知素子の抵抗値と、前記磁気抵抗効果素子の抵抗値を測定する工程と、
前記測定した抵抗検知素子の抵抗値と磁気抵抗効果素子の抵抗値から、前記抵抗検知素子と前記磁気抵抗効果素子のオフセット値を計算する工程と、
前記計算したオフセット値を用いて前記抵抗検知素子の最終抵抗値を計算する工程と、を含み、
前記抵抗検知素子の抵抗値が前記最終抵抗値に達したときに前記ローバーの浮上面の研磨を終了することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (4件)：
5D034BA02
, 5D034BA21
, 5D034DA02
, 5D034DA07
