特許
J-GLOBAL ID:201003010364079844

パラメトリック磁気センサ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 三枝 弘明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-077228
公開番号(公開出願番号):特開2010-230432
出願日: 2009年03月26日
公開日(公表日): 2010年10月14日
要約:
【課題】携帯可能で長時間乾電池で使用できるパラメトリック磁気センサを実現するための回路構成を提案する。【解決手段】センサ回路として、発振回路11,GIC回路21,定電流回路22の中のオペアンプをすべて単電源用とするとともに、GIC回路22の入力トランジスタを変更することにより、低電圧でセンサを駆動する。また、これによってDC-DCコンバータが不要となり、センサの消費電流が抑えられ、乾電池で長時間駆動させることができる。【選択図】図2
請求項(抜粋):
単一の直流電圧を供給する電源と、該直流電圧で直接動作するパルス発振回路と、該パルス発振回路の出力するパルスが入力され前記直流電圧で直接動作するGIC回路と、前記直流電圧で直接動作する定電流回路と、前記GIC回路の出力に接続された発振コイル及び前記定電流回路の出力に接続されたバイアス用コイルを備えた磁気ヘッドと、を具備することを特徴とするパラメトリック磁気センサ。
IPC (1件):
G01R 33/02
FI (1件):
G01R33/02 B
Fターム (7件):
2G017AA01 ,  2G017AC09 ,  2G017AD04 ,  2G017AD47 ,  2G017BA02 ,  2G017BA05 ,  2G017BA12
引用特許:
出願人引用 (2件)
  • 磁界検出方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2003-126563   出願人:内橋エステック株式会社
  • 特開平1-195712
引用文献:
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