特許
J-GLOBAL ID：201003010577732045
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-136611
公開番号（公開出願番号）：特開2010-283236
出願日： 2009年06月05日
公開日（公表日）： 2010年12月16日
要約：
【課題】半導体装置を小型化する。【解決手段】パワーMOSFETが形成された半導体チップCPHの上方に、他のパワーMOSFETが形成された半導体チップCPLを配置し、封止樹脂部MRで封止する。ここで、半導体チップCPHのゲートパッド電極PDGH上に半導体チップCPLが重ならないように配置する。また、半導体チップCPHおよび半導体チップCPLのサイズ、それぞれのソースパッド電極およびゲートパッド電極の形状および配置は同一であり、半導体チップCPHおよび半導体チップCPLの互いの中心をずらして配置する。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
ドレイン用端子と、
前記ドレイン用端子上に配置された第1半導体チップと、
前記第1半導体チップ上に配置されたソース・ドレイン用端子およびゲート用第1端子と、
前記ソース・ドレイン用端子上に配置された第2半導体チップと、
前記第2半導体チップ上に配置されたソース用端子およびゲート用第2端子と、
前記第1半導体チップおよび前記第2半導体チップと、前記ドレイン用端子、前記ソース・ドレイン用端子、前記ゲート用第1端子、前記ソース用端子および前記ゲート用第2端子の一部とを封止する封止樹脂部と、
を有する半導体装置であって、
前記第1半導体チップは、前記ドレイン用端子に対向しかつ第1裏面ドレイン電極が形成された第1裏面と、前記第1裏面とは反対側でかつ第1ソース用電極および第1ゲート用電極が形成された第1主面とを有しており、
前記第2半導体チップは、前記ソース・ドレイン用端子に対向しかつ第2裏面ドレイン電極が形成された第2裏面と、前記第2裏面とは反対側でかつ第2ソース用電極および第2ゲート用電極が形成された第2主面とを有しており、
前記第1半導体チップの前記第1裏面ドレイン電極は前記ドレイン用端子と、前記第1半導体チップの前記第1ゲート用電極は前記ゲート用第1端子と、前記第1半導体チップの前記第1ソース用電極は前記ソース・ドレイン用端子と、前記第2半導体チップの前記第2裏面ドレイン電極は前記ソース・ドレイン用端子と、前記第2半導体チップの前記第2ゲート用電極は前記ゲート用第2端子と、前記第2半導体チップの前記第2ソース用電極は前記ソース用端子と、それぞれ導電性の接合材を介して電気的に接続されており、
前記第1半導体チップの前記第1ゲート用電極上に前記第2半導体チップが重ならないように、前記第1半導体チップと前記第2半導体チップとが配置されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
, H01L 23/48
, H02M 3/155
H01L25/08 Z
, H01L25/04 C
, H01L23/48 H
, H02M3/155 Y
5H730AA15
, 5H730AS01
, 5H730AS19
, 5H730BB13
, 5H730BB57
, 5H730DD04
, 5H730DD26
, 5H730ZZ01
, 5H730ZZ04
, 5H730ZZ12
