半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-211223
公開番号（公開出願番号）：特開2010-097601
出願日： 2009年09月14日
公開日（公表日）： 2010年04月30日
要約：

【課題】絶縁体に蓄積した電荷が放電を起こすことにより、アンテナ又は薄膜トランジスタを有する回路を破壊してしまう問題(静電気破壊の問題)を解決することを目的とする。【解決手段】第1の絶縁体と、前記第1の絶縁体上に設けられた薄膜トランジスタを有する回路と、前記回路上に設けられ、前記回路と電気的に接続されたアンテナと、前記アンテナ上に設けられた第2の絶縁体と、を有し、前記第1の絶縁体と前記回路との間に第1の導電膜が設けられ、前記第2の絶縁体と前記アンテナとの間に第2の導電膜が設けられる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の絶縁体と、前記第1の絶縁体上に設けられた薄膜トランジスタを有する回路と、前記回路上に設けられ、前記回路と電気的に接続されたアンテナと、前記アンテナ上に設けられた第2の絶縁体と、を有し、前記第1の絶縁体と前記回路との間に第1の導電膜が設けられており、前記第2の絶縁体と前記アンテナとの間に第2の導電膜が設けられていることを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

G06K 19/07 , H01L 21/320 , H01L 23/52 , H01L 21/822 , H01L 27/04 , G06K 19/077 , H01L 29/786

FI (9件)：

G06K19/00 M , H01L21/88 S , H01L27/04 L , H01L27/04 U , H01L27/04 H , G06K19/00 H , G06K19/00 K , H01L29/78 613Z , H01L29/78 623A

Fターム (89件)：

5B035AA11 , 5B035BA03 , 5B035BA05 , 5B035BB09 , 5B035CA01 , 5B035CA23 , 5B035CA36 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH20 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033HH35 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033JJ13 , 5F033JJ14 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ20 , 5F033KK04 , 5F033KK08 , 5F033KK11 , 5F033KK13 , 5F033KK14 , 5F033KK18 , 5F033KK19 , 5F033KK20 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP19 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ31 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR21 , 5F033SS00 , 5F033VV00 , 5F033VV03 , 5F033VV08 , 5F033VV15 , 5F033XX00 , 5F038AZ04 , 5F038BH10 , 5F038BH13 , 5F038DF01 , 5F038DF11 , 5F038EZ03 , 5F038EZ06 , 5F038EZ14 , 5F038EZ15 , 5F038EZ20 , 5F110AA22 , 5F110BB20 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD17 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE09 , 5F110EE31 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG05 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL11 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN71 , 5F110QQ16

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