特許

J-GLOBAL ID：201003010816162914

ヘテロ結晶半導体デバイス及びその製造方法

発明者： 小林 伸彦 ,  ワン,シー-ユアン
出願人/特許権者： ヒューレット-パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー.
代理人 (3件)： 古谷 聡 ,  溝部 孝彦 ,  西山 清春
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-551736
公開番号（公開出願番号）：特表2010-520618
出願日： 2008年02月28日
公開日（公表日）： 2010年06月10日
要約：

非単結晶半導体層110、140と、この非単結晶半導体層110、140の晶子112と一体の単結晶半導体ナノ構造物122、124を含むナノ構造層120とを有するヘテロ結晶半導体デバイス100、及びこのヘテロ結晶半導体デバイス100を製造する方法200。

請求項（抜粋）：

第1のエネルギーバンドギャップを有する第1の非単結晶半導体材料の第1の層(110)、 第2のエネルギーバンドギャップを有する第2の非単結晶半導体材料の第2の層(140)、 第3のエネルギーバンドギャップを有する単結晶半導体材料のナノ構造物(122、124)を有するナノ構造層(120)であって、当該前記ナノ構造物(122、124)が、前記第1の層(110)及び前記第2の層(140)のいずれかの層内の晶子(112)と一体になっており、前記第1の層(110)と前記第2の層(140)との間に配置されているナノ構造層(120)、並びに 前記第1の層(110)及び前記第2の層(140)への別々の電気接点(160a、160b)を備えており、 前記ナノ構造物(122、124)が、前記別々の電気接点(160a、160b)により電気的にアクセス可能となっている、ヘテロ結晶半導体デバイス(100)。

IPC (3件)：

H01L 29/06 ,  H01L 29/861 ,  B82B 1/00

FI (3件)：

H01L29/06 601N ,  H01L29/91 H ,  B82B1/00