特許

J-GLOBAL ID：201003011180042529

テルル化ビスマス系熱電変換素子の製造方法

発明者： 村井 盾哉 ,  木太 拓志 ,  戎森 一雄
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社 ,  アイシン精機株式会社
代理人 (4件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  永坂 友康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-167492
公開番号（公開出願番号）：特開2010-010366
出願日： 2008年06月26日
公開日（公表日）： 2010年01月14日
要約：

【課題】優れた性能指数を有するテルル化ビスマス系熱電変換素子を製造する方法を提供する。【解決手段】セラミックス粒子のスラリーと、塩化ビスマス及び塩化テルルとを混合して分散液を調製した後、この分散液中に還元剤を加えてセラミックス粒子上でBi及びTeを還元析出させ、洗浄、加熱処理し、次いで焼結する工程を含む、テルル化ビスマス系熱電変換素子の製造方法において、前記還元剤として常温での還元電位が0〜-0.5Vである還元剤を用いる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

セラミックス粒子のスラリーと、塩化ビスマス及び塩化テルルとを混合して分散液を調製した後、この分散液中に還元剤を加えてセラミックス粒子上でBi及びTeを還元析出させ、洗浄、加熱処理し、次いで焼結する工程を含む、テルル化ビスマス系熱電変換素子の製造方法であって、前記還元剤として常温での還元電位が0〜-0.5Vである還元剤を用いることを特徴とする、テルル化ビスマス系熱電変換素子の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 35/34 ,  H01L 35/16 ,  C22C 1/05 ,  B22F 3/14 ,  B22F 9/24

FI (5件)：

H01L35/34 ,  H01L35/16 ,  C22C1/05 E ,  B22F3/14 101C ,  B22F9/24 A

Fターム (8件)：

4K017AA06 ,  4K017BA10 ,  4K017EH04 ,  4K018AA40 ,  4K018AB01 ,  4K018EA21 ,  4K018KA32 ,  4K018KA62

引用特許：

出願人引用 (1件)

• テルル化ビスマスナノ粒子の製造方法及びテルルナノ粒子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-345269   出願人：学校法人東京理科大学