特許

J-GLOBAL ID：201003012011153393

エピタキシャルウェーハの評価方法およびエピタキシャルウェーハの製造方法

発明者： 新井 孝弘 ,  吉田 知佐 ,  山野 晃一
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-290521
公開番号（公開出願番号）：特開2010-118487
出願日： 2008年11月13日
公開日（公表日）： 2010年05月27日
要約：

【課題】シリコンウェーハ等の単結晶基板とその上に気相成長させた単結晶薄膜との間に発生するミスフィット転位を、定量的で高感度、且つ簡便に評価するためのエピタキシャルウェーハの評価方法と、それを利用したエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】少なくとも、単結晶基板の主表面上に、該単結晶基板と格子定数の異なる単結晶薄膜を気相成長させて作製したエピタキシャルウェーハの格子定数に基づくミスフィット転位の量を評価する方法であって、前記単結晶基板と前記単結晶薄膜の格子定数の差による前記エピタキシャルウェーハの反り量の理論値をシミュレーションによって求め、また前記エピタキシャルウェーハの反り量を実測し、前記理論値と前記実測値の差を比較することで前記エピタキシャルウェーハ中のミスフィット転位の量を評価することを特徴とするエピタキシャルウェーハの評価方法。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

少なくとも、単結晶基板の主表面上に、該単結晶基板と格子定数の異なる単結晶薄膜を気相成長させて作製したエピタキシャルウェーハの格子定数に基づくミスフィット転位の量を評価する方法であって、 前記単結晶基板と前記単結晶薄膜の格子定数の差による前記エピタキシャルウェーハの反り量の理論値をシミュレーションによって求め、また前記エピタキシャルウェーハの反り量を実測し、前記理論値と前記実測値の差を比較することで前記エピタキシャルウェーハ中のミスフィット転位の量を評価することを特徴とするエピタキシャルウェーハの評価方法。

IPC (2件)：

H01L 21/66 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L21/66 N ,  H01L21/205

Fターム (18件)：

4M106AA01 ,  4M106BA04 ,  4M106CA47 ,  4M106CB19 ,  4M106DH12 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ19 ,  4M106DJ20 ,  4M106DJ27 ,  4M106DJ38 ,  5F045AA03 ,  5F045AB02 ,  5F045AC02 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF03 ,  5F045BB12 ,  5F045GB17

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特開平2-50434号公報