電子デバイスのためのヘテロピレン系半導体材料

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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：青木篤 , 石田敬 , 古賀哲次 , 小林良博 , 出野知 , 蛯谷厚志
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-514757
公開番号（公開出願番号）：特表2010-531551
出願日： 2008年06月13日
公開日（公表日）： 2010年09月24日
要約：

有機半導体薄膜材料を含む有機半導体材料の薄膜層を開示する。当該薄膜材料は、実質的にヘテロピレン化合物又は誘導体を含む。一つの態様としては、薄膜トランジスタは当該有機半導体材料の層を含む。さらに、好ましくは、基板上への相対的に低温度の昇華、又は溶液相堆積によって、有機薄膜トランジスタデバイスの製作方法も開示する。

請求項（抜粋）：

化合物中の1,6位に、酸素及び硫黄から成る群から選択されたヘテロ原子を含む1,6-ヘテロピレン化合物を含む有機半導体材料の薄膜を含む物品であって、該化合物のヘテロピレン芳香核上の位置のうちのいずれかは、置換されていてもよく又は置換されていなくてもよく、該置換基のいずれか2つは結合して環となることができ、飽和環、不飽和環、又は芳香族縮合環となることができる。

IPC (5件)：

H01L 51/30 , H01L 51/05 , H01L 51/40 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (6件)：

H01L29/28 250H , H01L29/28 100A , H01L29/28 310J , H01L29/78 618B , H01L29/78 618Z , H01L29/78 618A

Fターム (53件)：

4C071AA02 , 4C071AA07 , 4C071BB01 , 4C071BB06 , 4C071CC12 , 4C071EE07 , 4C071FF17 , 4C071GG03 , 4C071HH28 , 4C071JJ01 , 4C071LL10 , 5F110AA01 , 5F110AA05 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110BB03 , 5F110BB05 , 5F110BB20 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE08 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF23 , 5F110FF36 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG57 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK09 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33

引用特許：

審査官引用 (3件)

有機トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-013274 出願人：三井化学株式会社
特開昭63-056495
特開昭63-056495

引用文献：

審査官引用 (4件)

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