特許
J-GLOBAL ID：201003012264976132
ガス遮断性薄膜、これを備えた電子素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-288286
公開番号（公開出願番号）：特開2010-167777
出願日： 2009年12月18日
公開日（公表日）： 2010年08月05日
要約：
【課題】柔軟で水分遮断性が高く、低温で硬化できて製造が容易であり、透明なガス遮断性薄膜を提供する。【解決手段】基板と、前記基板の一方の表面上に形成された固定層と、前記固定層の、前記基板とは反対側の表面に形成された無機酸化物層と、を備え、前記固定層が、化学式-(SiO)n-で表される繰り返し単位と、化学式-(SiR1R2-NR3)m-で表される繰り返し単位と、化学式-[-Si(R4)(R5)-O-]p-及び化学式-[-OSi(R6)-O-Si(R7)O-]q-(n+m+r=1、0<n<1、0<m<1、0<r<1、r=p、q、またはp+q)からなる群から選択される一つ以上の繰り返し単位とを含むシリコン含有有機無機複合共重合体を含み、前記シリコン含有有機無機複合共重合体重合度は、2ないし1,000,000である、ガス遮断性薄膜。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、
前記基板の一方の表面上に形成された固定層と、
前記固定層の、前記基板とは反対側の表面上に形成された無機酸化物層と、を備え、
前記固定層が、下記化学式1で表される繰り返し単位と、下記化学式2で表される繰り返し単位と、下記化学式3及び4からなる群から選択される一つ以上の繰り返し単位とを含むシリコン含有有機無機複合共重合体を含み、前記シリコン含有有機無機複合共重合体の重合度は、2ないし1,000,000である、ガス遮断性薄膜:
IPC (8件)：
B32B 9/00
, C08J 7/04
, B32B 27/00
, C09D 1/00
, C09D 183/16
, H01L 51/50
, H05B 33/04
, C09D 183/04
B32B9/00 A
, C08J7/04 M
, B32B27/00 101
, C09D1/00
, C09D183/16
, H05B33/14 A
, H05B33/04
, C09D183/04
3K107AA01
, 3K107BB01
, 3K107CC23
, 3K107CC45
, 3K107EE49
, 3K107FF06
, 3K107FF17
, 3K107FF18
, 3K107GG06
, 3K107GG26
, 3K107GG28
, 4F006AA15
, 4F006AA18
, 4F006AA32
, 4F006AA35
, 4F006AA36
, 4F006AA38
, 4F006AA39
, 4F006AA40
, 4F006AB39
, 4F006BA05
, 4F006CA05
, 4F006CA08
, 4F006DA04
, 4F100AA01B
, 4F100AA17C
, 4F100AA18B
, 4F100AA19C
, 4F100AA20C
, 4F100AA25B
, 4F100AB00A
, 4F100AK01A
, 4F100AK42
, 4F100AK52B
, 4F100AK52J
, 4F100AK79B
, 4F100AK79J
, 4F100AL01B
, 4F100BA03
, 4F100BA07
, 4F100BA10A
, 4F100BA10C
, 4F100EH46B
, 4F100EH462
, 4F100EH66
, 4F100EJ08B
, 4F100EJ083
, 4F100GB41
, 4F100JA07B
, 4F100JD02
, 4F100JK13A
, 4F100JL02
, 4F100JN01
, 4F100JN08
, 4F100YY00B
, 4J038AA011
, 4J038DL041
, 4J038DL051
, 4J038DL111
, 4J038DL151
, 4J038DL161
, 4J038GA01
, 4J038GA03
, 4J038MA14
, 4J038NA01
, 4J038NA08
, 4J038NA24
, 4J038PA19
, 4J038PB08
, 4J038PB09
, 4J038PC02
, 4J038PC08
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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