特許

J-GLOBAL ID：201003012348721121

厚層転写プロセスを用いて太陽電池を製造するための方法および構造

発明者： ヘンリー フランソワ ジェイ.
出願人/特許権者： シリコン ジェネシス コーポレーション
代理人 (1件)： 藤田 和子
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-527609
公開番号（公開出願番号）：特表2010-503239
出願日： 2007年09月10日
公開日（公表日）： 2010年01月28日
要約：

【課題】光電池(例えば、太陽電池、ソーラーパネル)および製造方法を提供する。【解決手段】本発明の装置は、第1の表面および第2の表面を含む光学的に透明な基板を有する。第1の表面領域および第2の表面領域を有する材料(例えば、半導体材料、単結晶材料)の第1の厚さが含まれる。好適な実施形態において、表面領域は光学的に透明な基板の第1の表面を覆う。この装置は、材料の厚さの第1の表面領域と光学的に透明な材料の第1の表面との間に備えられる光結合材料を有する。【選択図】図23

請求項（抜粋）：

大規模注入プロセスを用いて光電池を製造するための方法であって、前記方法は、 タイル形状の半導体基板を提供する工程であって、前記タイル形状の半導体基板は、表面領域、劈開領域および前記表面領域と前記劈開領域との間に除去される材料の第1の厚さを有する工程、 高エネルギー注入プロセスを用いて前記劈開領域の近接内に実質的にプロトン様式で作用可能な複数の水素粒子を前記表面領域を通して導入する工程、 前記タイル形状の半導体基板の前記表面領域に基板の第1の表面領域を連結する工程であって、前記基板は、前記表面領域および第2の表面領域を含む工程、 前記半導体基板を劈開して、前記タイル形状の半導体基板から前記材料の第1の厚さを除去する工程、および 前記基板を覆う前記タイル形状によって特徴付けられた少なくとも材料の第1の厚さから太陽電池を形成する工程、を包含する、方法。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (1件)：

H01L31/04 H

Fターム (7件)：

5F051AA02 ,  5F051AA03 ,  5F051BA12 ,  5F051CB19 ,  5F051CB30 ,  5F051GA03 ,  5F051GA04