特許
J-GLOBAL ID：201003013362065233

半導体装置及びその製造方法

発明者：
松本 晋

松本 晋 について


出願人/特許権者：
パナソニック株式会社

パナソニック株式会社 について


代理人 (11件)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-050758
公開番号（公開出願番号）：特開2010-205990
出願日： 2009年03月04日
公開日（公表日）： 2010年09月16日
要約：
【課題】貫通ビアを有する半導体装置において、微細化・高集積化・低コスト化を図りつつ、貫通ビアに起因する寄生容量の低減と、基板材料と貫通ビア材料との熱膨張係数の違いに起因する応力ミスマッチの緩和とをそれぞれ可能として信頼性を向上させる。【解決手段】半導体基板5を貫通するようにビアホール21を形成する。ビアホール21内に絶縁性のビア被覆材料7aを埋め込む。ビアホール21の内壁を覆う部分のビア被覆材料7aをビア被覆膜7cとして残してビア被覆材料7aを除去する。ビア被覆膜7cが残存するビアホール21内に導電膜10を埋め込むことにより貫通ビア22を形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
素子形成面となる第1面及び前記第1面とは反対側の第2面を有する半導体基板と、 前記半導体基板を貫通する貫通ビアと、 前記貫通ビアの側壁と前記半導体基板との間に形成された絶縁性のビア被覆膜と、 前記半導体基板の前記第2面上に形成された絶縁性の保護膜とを備え、 前記ビア被覆膜と前記保護膜とは互いに異なる絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18
FI (2件)：
H01L21/88 J ,  H01L25/08 Z
Fターム (29件)：
5F033JJ11 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK07 ,  5F033MM30 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ46 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033RR24 ,  5F033SS11 ,  5F033TT07 ,  5F033VV07 ,  5F033XX04 ,  5F033XX19 ,  5F033XX24 ,  5F033XX34
引用特許：
審査官引用 (5件)
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