特許
J-GLOBAL ID：201003013774792385
気相成長装置
発明者：
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出願人/特許権者：
,
代理人 (2件)：
木戸 一彦
, 木戸 良彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-123662
公開番号（公開出願番号）：特開2010-272708
出願日： 2009年05月22日
公開日（公表日）： 2010年12月02日
要約：
【課題】サセプタなどを大型化することなく、一度に気相成長できる半導体薄膜の面積を多くできる自公転型の気相成長装置を提供する。【解決手段】円盤状のサセプタ12に形成された円形開口内に設けられた軸受部材13と、軸受部材に回転可能に載置された均熱板14と、均熱板上に載置された外歯車部材15と、該外歯車部材に噛合する内歯車を備えたリング状の固定内歯車部材17と、外歯車部材に保持された基板18をサセプタの裏面側から加熱する加熱手段19と、基板表面に平行な方向に原料ガスを導くフローチャンネル20とを備えた自公転機構を有する横形気相成長装置において、軸受部材の外径又は外歯車部材の歯車基準円直径を基板の外径より小さい寸法とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
チャンバー内に回転可能に設けられた円盤状のサセプタと、該サセプタの外周部周方向に形成された複数の円形開口内にそれぞれ設けられたリング状の軸受部材と、各軸受部材上にそれぞれ回転可能に載置された円盤状の均熱板と、各均熱板上にそれぞれ載置された外歯車部材と、該外歯車部材に噛合する内歯車を備えたリング状の固定内歯車部材と、前記外歯車部材の表面に保持された基板を前記サセプタの裏面側から加熱する加熱手段と、前記基板の表面に平行な方向に原料ガスを導くフローチャンネルとを備えた自公転機構を有する横形気相成長装置において、前記軸受部材の外径を前記基板の外径より小さい寸法としたことを特徴とする気相成長装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/205
, H01L33/00 186
5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA64
, 5F045AB14
, 5F045AB17
, 5F045DP15
, 5F045DP28
, 5F045EK21
, 5F045EM02
, 5F045EM10
