特許

J-GLOBAL ID：201003013858171971

原子層堆積の技術

発明者： ヴィクラム シング ,  ハロルド エム パーシング ,  エドモンド ジェイ ワインダー ,  ジュフリー エイ ホップウッド ,  アンソニー ルノー
出願人/特許権者： ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド ,  ノースイースタン ユニヴァーシティ
代理人 (3件)： 杉村 憲司 ,  澤田 達也 ,  播磨 里江子
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-552644
公開番号（公開出願番号）：特表2010-520638
出願日： 2007年03月06日
公開日（公表日）： 2010年06月10日
要約：

原子層堆積の技法を開示する。1つの特定の例示的な実施形態において、この技法は、原子層堆積のための装置によって実現することができる。この装置は、少なくとも1つの基板を保持するための基板プラットフォームを有するプロセスチャンバを備えることができる。この装置はまた、少なくとも1つの第1の種の原子と少なくとも1つの第2の種の原子とを含む前駆物質の供給源を備えることができ、その供給源は前駆物質を供給して少なくとも1つの基板の表面を飽和させる。この装置は、少なくとも1つの第3の種の準安定原子のプラズマ源をさらに備えることができ、その準安定原子は、少なくとも1つの第2の種の原子を、少なくとも1つの基板の飽和した表面から脱着させて、少なくとも1つの第1の種の1つ以上の原子層を形成する。

請求項（抜粋）：

原子層堆積のための装置であって、当該装置が、 少なくとも一つの基板を保持する、基板プラットフォームを有するプロセスチャンバ、 前駆物質の供給源であって、前記前駆物質は、少なくとも1つの第1の種の原子と、少なくとも1つの第2の種の原子とを含み、且つ前記供給源は、前記少なくとも1つの基板の表面を飽和させるために前記前駆物質を供給する、供給源、及び 少なくとも1つの第3の種の準安定原子のプラズマ源であって、前記準安定原子は、前記少なくとも1つの基板の飽和した表面から、前記少なくとも1つの第2の種の原子を脱着させて、前記少なくとも1つの第1の種の1つ以上の原子層を形成することができる、プラズマ源 を備えている、原子層堆積装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/507

FI (2件)：

H01L21/205 ,  C23C16/507

Fターム (32件)：

4K030AA06 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030CA17 ,  4K030FA04 ,  4K030GA06 ,  4K030HA01 ,  4K030JA10 ,  4K030KA23 ,  5F045AA08 ,  5F045AA15 ,  5F045AB02 ,  5F045AB05 ,  5F045AB07 ,  5F045AB40 ,  5F045AC00 ,  5F045AC01 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AC19 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AF03 ,  5F045AF08 ,  5F045BB04 ,  5F045BB12 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EF05 ,  5F045EF17