金属酸化物半導体、その製造方法及び薄膜トランジスタ

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-024660
公開番号（公開出願番号）：特開2010-182852
出願日： 2009年02月05日
公開日（公表日）： 2010年08月19日
要約：

【課題】金属酸化物半導体の形成におけるプロセス温度の低温化を達成することにより、樹脂基板を用いた薄膜トランジスタの製造を可能とする。【解決手段】金属酸化物半導体前駆体の溶液または分散液を、基板上に塗布することにより得られた金属酸化物半導体前駆体膜を変換することにより、金属酸化物半導体を形成する金属酸化物半導体の製造方法において、金属酸化物半導体前駆体塗布時の基板表面の2種の表面エネルギー成分γhとγdについて、10≦γh≦80(mN/m)、2≦γd≦40(mN/m)であることを特徴とする金属酸化物半導体の製造方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

金属酸化物半導体前駆体の溶液または分散液を、基板上に塗布することにより得られた金属酸化物半導体前駆体膜を変換することにより、金属酸化物半導体を形成する金属酸化物半導体の製造方法において、金属酸化物半導体前駆体塗布時の基板表面の2種の表面エネルギー成分γhとγdについて、10≦γh≦80(mN/m)、2≦γd≦40(mN/m)であることを特徴とする金属酸化物半導体の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 21/368

FI (3件)：

H01L29/78 618A , H01L29/78 618B , H01L21/368 Z

Fターム (68件)：

5F053AA06 , 5F053AA50 , 5F053DD20 , 5F053FF01 , 5F053GG01 , 5F053GG02 , 5F053GG03 , 5F053HH05 , 5F053HH10 , 5F053LL06 , 5F053LL10 , 5F053PP03 , 5F053PP20 , 5F053RR20 , 5F110AA16 , 5F110AA17 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD25 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF24 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG41 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG45 , 5F110GG57 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK10 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110QQ14

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