特許
J-GLOBAL ID：201003014989645770
固体撮像素子及びその駆動方法
発明者：
,
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
山本 孝久
, 吉井 正明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-039765
公開番号（公開出願番号）：特開2010-199155
出願日： 2009年02月23日
公開日（公表日）： 2010年09月09日
要約：
【課題】受光/電荷蓄積層を積層した固体撮像素子であって、固体撮像素子全体の面積を小さくすることができる固体撮像素子を提供する。【解決手段】固体撮像素子は、(A)半導体層12に形成され、M層(但し、M≧2)の受光/電荷蓄積層21,22,23が積層されて成る受光/電荷蓄積領域20、(B)半導体層12に形成された電荷出力領域40、(C)受光/電荷蓄積領域20と電荷出力領域40との間に位置する半導体層12の部分から構成された導通/非導通制御領域50、並びに、(D)導通/非導通制御領域50における導通/非導通状態を制御する導通/非導通・制御電極60を備えており、第m層目の受光/電荷蓄積層と第(m+1)層目の受光/電荷蓄積層[但し、1≦m≦(M-1)]との間には、受光/電荷蓄積層の電位を制御するための第m番目の電位制御電極31,32が設けられている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
(A)半導体層に形成され、M層(但し、M≧2)の受光/電荷蓄積層が積層されて成る受光/電荷蓄積領域、
(B)半導体層に形成された電荷出力領域、
(C)受光/電荷蓄積領域と電荷出力領域との間に位置する半導体層の部分から構成された導通/非導通制御領域、並びに、
(D)導通/非導通制御領域における導通/非導通状態を制御する導通/非導通・制御電極、
を備えており、
第m層目の受光/電荷蓄積層と第(m+1)層目の受光/電荷蓄積層[但し、1≦m≦(M-1)]との間には、受光/電荷蓄積層の電位を制御するための第m番目の電位制御電極が設けられている固体撮像素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/14 A
, H01L31/10 A
4M118AA10
, 4M118AB01
, 4M118BA10
, 4M118BA14
, 4M118CA03
, 4M118CA23
, 4M118CA27
, 4M118CB14
, 4M118DD04
, 4M118DD12
, 4M118EA01
, 4M118EA14
, 4M118EA15
, 4M118FA06
, 4M118FA13
, 4M118FA33
, 4M118FA36
, 4M118GA02
, 4M118GB11
, 4M118GC07
, 5F049MB02
, 5F049NA19
, 5F049NB05
, 5F049PA10
, 5F049QA07
, 5F049SE20
, 5F049SS03
, 5F049SZ10
, 5F049SZ20
, 5F049UA20
