特許

J-GLOBAL ID：201003015401219718

樹脂封止金型及び樹脂封止方法

発明者： 愛宕 伸高
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松尾 憲一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-033179
公開番号（公開出願番号）：特開2010-192541
出願日： 2009年02月16日
公開日（公表日）： 2010年09月02日
要約：

【課題】樹脂充填不良を低減して、半導体装置の歩留を向上させることができる樹脂封止金型および樹脂封止方法を提供すること。【解決手段】半導体チップ20が搭載された配線基板21の上部を樹脂封止するキャビティ部17と、このキャビティ部17の一側端部に設けられ、当該キャビティ部17へ樹脂を流入させるゲート部13と、配線基板21の下方に配置され、キャビティ部17の他側端部側から配線基板21の一部に設けられた複数の貫通孔23を介して流入する溶解樹脂R’を収容する下部ダミーキャビティ部33とを備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体チップが搭載された配線基板の上部を樹脂封止するキャビティ部と、 前記キャビティ部の一側端部に設けられ、当該キャビティ部へ樹脂を流入させるゲート部と、 前記配線基板の下方に配置され、前記キャビティ部の他側端部側から前記配線基板の一部に設けられた複数の貫通孔を介して流入する樹脂を収容する下部ダミーキャビティ部と、を備えた樹脂封止金型。

IPC (3件)：

H01L 21/56 ,  B29C 45/37 ,  B29C 33/42

FI (3件)：

H01L21/56 T ,  B29C45/37 ,  B29C33/42

Fターム (14件)：

4F202AD19B ,  4F202AD20B ,  4F202AG03 ,  4F202AH37 ,  4F202AM32 ,  4F202CA12 ,  4F202CB01 ,  4F202CB17 ,  4F202CK85 ,  5F061AA01 ,  5F061BA03 ,  5F061CA21 ,  5F061DA06 ,  5F061FA02