特許
J-GLOBAL ID:201003015783198731
熱処理装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-068375
公開番号(公開出願番号):特開2010-225645
出願日: 2009年03月19日
公開日(公表日): 2010年10月07日
要約:
【課題】ハロゲンランプによって予備加熱する基板の面内温度分布を均一にすることができる熱処理装置を提供する。【解決手段】石英の保持プレート74の上面に複数のバンプ75が立設されている。半導体ウェハーWは複数のバンプ75によって保持プレート74上面と所定間隔を隔てて水平姿勢に支持される。保持プレート74の上面には、半導体ウェハーWの端縁部に近接して環状に温度補償リング76が配置されている。温度補償リング76は石英よりも赤外線の吸収率が高い炭化ケイ素にて形成されている。ハロゲンランプによって半導体ウェハーWを予備加熱するときには、温度補償リング76もともに昇温することとなり、予備加熱中の半導体ウェハーWの端縁部から失われた熱は温度補償リング76によって補償される。その結果、予備加熱される半導体ウェハーWの面内温度分布を均一にすることができる。【選択図】図4
請求項(抜粋):
基板に対してフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内にて基板を載置して水平姿勢に保持する石英の保持プレートと、
前記保持プレートに保持された基板にフラッシュ光を照射するフラッシュランプと、
前記保持プレートに保持された基板を光照射によって予備加熱するハロゲンランプと、
前記保持プレートに載置され、予備加熱される基板の端縁部の温度を補償する温度補償部材と、
を備えることを特徴とする熱処理装置。
IPC (2件):
FI (3件):
H01L21/26 Q
, H01L21/68 N
, H01L21/26 J
Fターム (5件):
5F031CA02
, 5F031HA08
, 5F031HA58
, 5F031MA30
, 5F031PA20
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