薄膜トランジスタ、液晶表示装置及びこれらの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：渡部弘道 , 守谷一雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-123612
公開番号（公開出願番号）：特開2010-272706
出願日： 2009年05月21日
公開日（公表日）： 2010年12月02日
要約：

【課題】In、Ga及びZnを含むアモルファス酸化物からなる半導体層にダメージを与えず、また、オフ電流の小さい薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】In、Ga及びZnを含むアモルファス酸化物からなる半導体層を備え、ゲート電極から見てソース領域又はドレイン領域の手前側にソース電極又はドレイン電極が形成されてなるボトムゲート型薄膜トランジスタを構成する。このような構造を持つ薄膜トランジスタではドレイン電極等の金属層のエッチングによって半導体層がダメージを受けることはない。また、裏面照射によって紫外線の照射された半導体層部分を高導電率化するものであるため、半導体層へのダメージが生じないため信頼性が向上する。また、ソース電極又はドレイン電極によって紫外線が遮光された半導体層の領域は照射前の導電率と同じとなるため、オフ電流の値を小さくすることができる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

基板上に遮光性を備えるゲート電極を形成する第1工程と、該ゲート電極の上にゲート絶縁膜を形成する第2工程と、遮光性を備え金属層からなるソース電極及びドレイン電極を形成する第3工程と、 In、Ga及びZnを含むアモルファス酸化物からなる薄膜トランジスタの半導体層をその一部が該ソース電極の一部及び該ドレイン電極の一部を覆うように形成する第4工程と、紫外線を該ゲート電極の側から該半導体層に向けて照射することにより該半導体層のうち該紫外線が照射された領域に該照射前よりも導電率の高いアモルファスの第1ソース領域及び第1ドレイン領域を構成する第5工程とを含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (7件)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 29/417 , H01L 21/28 , G02F 1/136

FI (8件)：

H01L29/78 616K , H01L29/78 618B , H01L29/78 616U , H01L29/58 G , H01L29/50 M , H01L21/28 301R , G02F1/1368 , H01L29/78 616N

Fターム (84件)：

2H092JA26 , 2H092JA33 , 2H092JA35 , 2H092JA39 , 2H092JA43 , 2H092JA46 , 2H092KA05 , 2H092KA07 , 2H092KA12 , 2H092KA18 , 2H092MA05 , 2H092MA07 , 2H092MA09 , 2H092MA41 , 2H092NA22 , 2H092NA25 , 2H092PA01 , 4M104AA03 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB16 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD02 , 4M104DD37 , 4M104DD63 , 4M104DD81 , 4M104EE06 , 4M104EE17 , 4M104FF08 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH16 , 5F110AA06 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110CC10 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE14 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG43 , 5F110GG58 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK08 , 5F110HK15 , 5F110HK16 , 5F110HK17 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK33 , 5F110HK42 , 5F110HL07 , 5F110HL23 , 5F110HM03 , 5F110HM04 , 5F110NN04 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN44 , 5F110NN46 , 5F110NN47 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110QQ12

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