特許
J-GLOBAL ID:201003016105925190
薄膜トランジスタ、その製造方法、半導体装置および表示装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
島田 明宏
, 川原 健児
, 奥田 邦廣
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-023186
公開番号(公開出願番号):特開2010-182760
出願日: 2009年02月04日
公開日(公表日): 2010年08月19日
要約:
【課題】オン電流が大きく、かつ電気的特性のばらつきが小さな薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】周辺TFT110のチャネル層141を形成するシリコンの結晶粒径は、微結晶シリコンによって形成されているので、閾値電圧のばらつきをある程度抑えながら、オン電流を大きくすることができる。しかし、多結晶シリコンからなるチャネル層を有する周辺TFTと比べて、小さなオン電流しか流すことができない。そこで、周辺TFT110のゲート電極125と対向する窒化シリコン膜180の表面に、さらにゲート電極195を形成する。この結果、チャネル層341を流れるオン電流は、2つのゲート電極125、195によって制御されるので、オン電流の不足分を補うことができる。【選択図】図2
請求項(抜粋):
絶縁性基板上に形成された第1ゲート電極と、
前記第1ゲート電極が形成された前記絶縁性基板を覆うように成膜されたゲート絶縁膜と、
半導体膜からなり、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極の上方に形成されたチャネル層と、
前記チャネル層の上方に、前記チャネル層の両端部近傍とそれぞれ重なるように形成されたソース電極およびドレイン電極と、
前記ソース電極およびドレイン電極が形成された前記絶縁性基板を覆うように成膜された保護膜とを備える、第1薄膜トランジスタであって、
前記第1ゲート電極と対向する前記保護膜の表面に形成された第2ゲート電極をさらに備え、
前記半導体膜は微結晶半導体からなることを特徴とする、第1薄膜トランジスタ。
IPC (4件):
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 21/20
, G02F 1/136
FI (6件):
H01L29/78 617N
, H01L29/78 612B
, H01L29/78 627G
, H01L29/78 618Z
, H01L21/20
, G02F1/1368
Fターム (86件):
2H092GA59
, 2H092HA04
, 2H092JA24
, 2H092JA26
, 2H092JA33
, 2H092JA35
, 2H092JA39
, 2H092JA43
, 2H092JA44
, 2H092JB57
, 2H092KA04
, 2H092KA12
, 2H092KA18
, 2H092KB04
, 2H092KB24
, 2H092MA08
, 2H092MA13
, 2H092MA18
, 2H092MA30
, 2H092MA37
, 2H092NA22
, 2H092NA24
, 2H092PA06
, 5F110AA07
, 5F110AA08
, 5F110BB02
, 5F110CC07
, 5F110DD02
, 5F110DD03
, 5F110EE04
, 5F110EE07
, 5F110EE30
, 5F110EE44
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF09
, 5F110FF30
, 5F110GG02
, 5F110GG14
, 5F110GG16
, 5F110GG25
, 5F110GG28
, 5F110GG29
, 5F110GG45
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK09
, 5F110HK22
, 5F110HK25
, 5F110HK33
, 5F110HK35
, 5F110NN02
, 5F110NN03
, 5F110NN12
, 5F110NN14
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN27
, 5F110NN35
, 5F110NN36
, 5F110NN72
, 5F110NN78
, 5F110PP03
, 5F110PP04
, 5F110PP05
, 5F152AA01
, 5F152AA06
, 5F152AA10
, 5F152BB03
, 5F152CC02
, 5F152CC03
, 5F152CD13
, 5F152CD14
, 5F152CD17
, 5F152CD24
, 5F152CE05
, 5F152CE06
, 5F152CE14
, 5F152CE24
, 5F152CF13
, 5F152CF24
, 5F152FF09
, 5F152FF28
, 5F152FG18
, 5F152FH02
, 5F152FH08
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