特許
J-GLOBAL ID:201003016227194995
固体撮像素子及び撮像装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
小谷 悦司
, 小谷 昌崇
, 西谷 浩治
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-308294
公開番号(公開出願番号):特開2010-135464
出願日: 2008年12月03日
公開日(公表日): 2010年06月17日
要約:
【課題】各画素のサイズを小さくしても、感度の低下を抑制することができるCMOSの固体撮像素子及び撮像装置を提供する。【解決手段】画素回路K1は、転送トランジスタTQ等を含み、各画素Gに対して個別に設けられ、各画素Gの内部に配置されている。画素回路K2は、増幅トランジスタGQ、フローディングディフュージョン、及びリセットトランジスタRQ等を含み、各列の画素に対して共通に設けられ、画素列21〜23の外部に配置されている。【選択図】図2
請求項(抜粋):
複数の画素が一次元に配列された画素列が複数行で配列されたCMOSの固体撮像素子であって、
各画素に対して個別に設けられ、各画素の内部に配置された第1の画素回路と、
各列の画素に対して共通に設けられた第2の画素回路とを備え、
前記第2の画素回路は、前記画素列の外部に配置されていることを特徴とする固体撮像素子。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L27/14 A
, H04N5/335 E
Fターム (18件):
4M118AA10
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA02
, 4M118DB09
, 4M118DD04
, 4M118DD09
, 4M118DD10
, 4M118DD12
, 4M118FA06
, 4M118FA33
, 4M118GC08
, 5C024AX01
, 5C024CX41
, 5C024GY31
, 5C024HX17
, 5C024HX40
, 5C024JX21
引用特許:
出願人引用 (1件)
-
固体撮像装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2007-105829
出願人:コニカミノルタホールディングス株式会社
審査官引用 (3件)
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