特許

J-GLOBAL ID：201003016342677177

カーボンナノチューブの成長用基板

発明者： 中澤 哲
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人明成国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-096592
公開番号（公開出願番号）：特開2010-248007
出願日： 2009年04月13日
公開日（公表日）： 2010年11月04日
要約：

【課題】CVD法を用いてカーボンナノチューブを効率的に生成できる技術を提供する。【解決手段】成長用基板100は、中空円筒状を有しており、カーボンナノチューブ生成層20と、発電層30とを備える。カーボンナノチューブ生成層20は、外表面にカーボンナノチューブの生成を促進させるための触媒が担持されている。発電層30は、カーボンナノチューブ生成層20の下層に配置され、固体電解質35と、固体電解質35の外面に設けられたアノード33と、固体電解質35の内面に設けられたカソード37とを有している。発電層30は、カーボンナノチューブの生成に際して、アノード33にカーボンナノチューブ生成層20から透過した副産物である水素と、カソード37に外部から供給された酸化ガスとを利用して発電する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

化学気相成長法において、加熱炉に収容されて、カーボンナノチューブの生成に供されるカーボンナノチューブの成長用基板であって、 外表面にカーボンナノチューブの生成を促進させるための触媒が担持され、中空円筒状に形成された、水素を選択的に透過するカーボンナノチューブ生成層と、 中空円筒状の固体電解質と、前記固体電解質の外面に設けられたアノードと、前記固体電解質の内面に設けられたカソードとを有し、前記カーボンナノチューブ生成層の下層に配置された発電層と、 を備え、 前記発電層は、前記カーボンナノチューブの生成に際して、前記カーボンナノチューブの副産物として生成され前記カーボンナノチューブ生成層から前記アノードに透過した水素と、前記加熱炉の外部から前記カソードに供給された酸素を含む酸化ガスとを利用して発電する、カーボンナノチューブの成長用基板。

IPC (1件)：

C01B 31/02

FI (1件)：

C01B31/02 101F

Fターム (24件)：

4G146AA11 ,  4G146AB06 ,  4G146AD40 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC01 ,  4G146BC09 ,  4G146BC18 ,  4G146BC20 ,  4G146BC24 ,  4G146BC33B ,  4G146BC34B ,  4G146BC42 ,  4G146BC44 ,  4G146BC50 ,  4G146DA03 ,  4G146DA22 ,  4G146DA29 ,  4G146DA33 ,  4G146DA40 ,  4G146DA47 ,  4G146DA48