フォトセンサ及び表示装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-266076
公開番号（公開出願番号）：特開2010-153834
出願日： 2009年11月24日
公開日（公表日）： 2010年07月08日
要約：

【課題】マトリクス状に配置した光電変換素子が捉える光の強度分布を、再現よく電気信号に変換して取り出せる大型のエリアセンサおよび、エリアセンサを搭載した書き込み速度が速く、表示ムラが少ない表示装置を提供する。【解決手段】インジウム、ガリウム、および亜鉛を含む酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタは、大面積基板にマトリクス状に配置することが容易であり、また特性にバラツキが少ない。インジウム、ガリウム、および亜鉛を含む酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタで構成した特性にバラツキが少ない増幅回路と表示素子の駆動回路を用いて、マトリクス状に配置したフォトダイオードが捉える光の強度分布を再現よく電気信号に変換して取り出し、マトリクス状に配置した表示素子をムラなく駆動する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

光電変換素子と、インジウム、ガリウム、および亜鉛を含む酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタで構成された増幅回路を有するフォトセンサ。

IPC (13件)：

H01L 27/146 , H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 21/28 , H01L 21/768 , H01L 29/417 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 31/10 , G02F 1/136 , G02F 1/133 , H01L 51/50 , H05B 33/12

FI (14件)：

H01L27/14 C , H01L29/78 612Z , H01L29/78 618B , H01L21/28 301B , H01L21/90 A , H01L21/28 301R , H01L29/50 M , H01L29/58 G , H01L31/10 G , G02F1/1368 , G02F1/1333 , H05B33/14 A , H01L29/78 613Z , H05B33/12 E

Fターム (191件)：

2H092GA59 , 2H092JA26 , 2H092KA05 , 2H092KA08 , 2H092KA18 , 2H092KB04 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092NA24 , 2H189AA15 , 2H189BA07 , 2H189HA16 , 2H189LA10 , 2H189LA27 , 2H189LA31 , 3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107CC33 , 3K107CC42 , 3K107EE03 , 3K107EE22 , 3K107EE24 , 3K107EE68 , 3K107HH02 , 3K107HH04 , 3K107HH05 , 4M104AA03 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB06 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB36 , 4M104BB39 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD64 , 4M104DD65 , 4M104FF08 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH15 , 4M118AB01 , 4M118AB10 , 4M118BA05 , 4M118CA05 , 4M118CB05 , 4M118CB14 , 4M118EA01 , 4M118EA14 , 4M118FB03 , 4M118FB09 , 4M118FB13 , 4M118FB24 , 4M118FC04 , 4M118FC06 , 5F033GG01 , 5F033GG03 , 5F033GG04 , 5F033HH07 , 5F033HH09 , 5F033HH18 , 5F033JJ01 , 5F033KK11 , 5F033KK13 , 5F033KK14 , 5F033KK18 , 5F033KK19 , 5F033KK20 , 5F033KK21 , 5F033KK38 , 5F033LL01 , 5F033LL02 , 5F033MM08 , 5F033NN37 , 5F033PP15 , 5F033PP19 , 5F033QQ07 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ13 , 5F033QQ14 , 5F033QQ19 , 5F033QQ37 , 5F033QQ73 , 5F033QQ91 , 5F033QQ98 , 5F033RR03 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR11 , 5F033RR14 , 5F033RR15 , 5F033RR20 , 5F033RR21 , 5F033RR22 , 5F033RR23 , 5F033SS08 , 5F033SS15 , 5F033SS21 , 5F033VV06 , 5F033VV10 , 5F033VV15 , 5F033XX10 , 5F033XX12 , 5F033XX20 , 5F033XX28 , 5F033XX34 , 5F049MA04 , 5F049NA03 , 5F049NB10 , 5F049RA07 , 5F049RA08 , 5F049SE03 , 5F049SE04 , 5F049SS01 , 5F049UA07 , 5F049UA13 , 5F049UA14 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110BB10 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD07 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE14 , 5F110EE23 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF10 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG07 , 5F110GG15 , 5F110GG16 , 5F110GG22 , 5F110GG25 , 5F110GG57 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK08 , 5F110HK22 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK42 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL14 , 5F110NN03 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN25 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN36 , 5F110NN40 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110PP01 , 5F110PP10 , 5F110QQ06 , 5F110QQ09 , 5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-109565 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
放射線検出器
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-304241 出願人：富士フイルム株式会社

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