特許
J-GLOBAL ID:201003018514509916

半導体発光装置およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 伊藤 克博 ,  小野 暁子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-212249
公開番号(公開出願番号):特開2010-050236
出願日: 2008年08月20日
公開日(公表日): 2010年03月04日
要約:
【課題】光取り出し効率を向上させる透光性被覆層を、より簡易に形成できるようにする。【解決手段】半導体発光装置1は、サブマウント2、サブマウント2上に搭載された半導体発光素子3、および半導体発光素子3を完全に被覆した透光性被覆層4を有する。透光性被覆層4は、サブマウント2の外周全周に接して形成されている。【選択図】図2
請求項(抜粋):
コア材、配線層およびコート層のうち少なくともコア材および配線層を有する第一支持体と、 前記第一支持体の上面に搭載された少なくとも1つの半導体発光素子と、 前記半導体発光素子が前記第一支持体と接合されている部分を除いて前記半導体発光素子を完全に被覆して形成された透光性被覆層と、 を有し、 前記透光性被覆層は、前記第一支持体の外縁全周に接して形成されている半導体発光装置。
IPC (2件):
H01L 33/48 ,  H01S 5/022
FI (2件):
H01L33/00 N ,  H01S5/022
Fターム (29件):
5F041AA42 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA73 ,  5F041CA82 ,  5F041DA03 ,  5F041DA07 ,  5F041DA09 ,  5F041DA20 ,  5F041DA34 ,  5F041DA35 ,  5F041DA39 ,  5F041DA45 ,  5F041DA47 ,  5F041DA55 ,  5F041DA58 ,  5F041EE25 ,  5F173MB02 ,  5F173MC23 ,  5F173MD04 ,  5F173MD12 ,  5F173MD63 ,  5F173MD84 ,  5F173ME06 ,  5F173ME15 ,  5F173ME31 ,  5F173MF03
引用特許:
出願人引用 (2件)
  • 発光素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2001-109819   出願人:日亜化学工業株式会社
  • 発光装置および照明装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2003-431225   出願人:東芝ライテック株式会社
審査官引用 (3件)
  • 発光ダイオードおよびその製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平11-124229   出願人:ルナライト株式会社
  • 発光体
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2002-247069   出願人:三洋電機株式会社, 鳥取三洋電機株式会社
  • 透明樹脂組成物
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2006-263012   出願人:三菱瓦斯化学株式会社

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