特許
J-GLOBAL ID：201003018582819303
多結晶シリコン製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-201326
公開番号（公開出願番号）：特開2010-090024
出願日： 2009年09月01日
公開日（公表日）： 2010年04月22日
要約：
【課題】シリコン芯棒の基端部まで十分に多結晶シリコンを析出させる。【解決手段】反応炉1内で加熱された上下方向に沿うシリコン芯棒4に原料ガスを供給することによりシリコン芯棒4の表面に多結晶シリコンを析出させる多結晶シリコン製造装置であって、シリコン芯棒4を保持するカーボン製の電極30と、冷却媒体を流通させる冷却流路27が内部に形成され、反応炉1の底板部2に形成された貫通孔16内に挿入支持され、電極30を保持する電極ホルダ20と、を有し、電極30は、シリコン芯棒4の下端部を保持する柱状の芯棒保持部31と、この芯棒保持部31と電極ホルダ20との間に介在され、芯棒保持部31の下端部を挿入状態に保持する凹部32aを有するヒートキャップ32と、芯棒保持部31を貫通させる貫通孔33aを有しヒートキャップ32の上面32bを覆うリング板状のキャッププロテクタ33と、を備える。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
反応炉内で加熱された上下方向に沿うシリコン芯棒に原料ガスを供給することによりシリコン芯棒の表面に多結晶シリコンを析出させる多結晶シリコン製造装置であって、
前記シリコン芯棒を保持するカーボン製の電極と、
冷却媒体を流通させる冷却流路が内部に形成され、前記反応炉の底板部に形成された貫通孔内に挿入支持され、前記電極を保持する電極ホルダとを有し、
前記電極は、
前記シリコン芯棒の下端部を保持する柱状の芯棒保持部と、
この芯棒保持部と前記電極ホルダとの間に介在され、前記芯棒保持部の下端部を挿入状態に保持する凹部を有するヒートキャップと、
前記芯棒保持部を貫通させる貫通孔を有し前記ヒートキャップの上面を覆うリング板状のキャッププロテクタとを備えることを特徴とする多結晶シリコン製造装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (14件)：
4G072AA01
, 4G072BB12
, 4G072GG01
, 4G072GG03
, 4G072GG04
, 4G072GG05
, 4G072HH09
, 4G072JJ01
, 4G072MM01
, 4G072NN01
, 4G072NN14
, 4G072RR04
, 4G072RR11
, 4G072UU30
