特許

J-GLOBAL ID：201003018689790880

透明導電膜の製造方法及び得られる透明導電膜、それを用いた透明導電部材、並びに、電子ディスプレイ機器、太陽電池

発明者： 足立 健治
出願人/特許権者： 住友金属鉱山株式会社
代理人 (1件)： 河備 健二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-053542
公開番号（公開出願番号）：特開2010-211929
出願日： 2009年03月06日
公開日（公表日）： 2010年09月24日
要約：

【課題】タングステン酸化物や複合タングステン酸化物を用いた高い導電性を持つ安価な透明導電膜の製造方法及び得られる透明導電膜、それを用いた透明導電部材、並びに、電子ディスプレイ機器、太陽電池の提供。【解決手段】一般式(1)で示されるタングステン酸化物(A)、及び/または一般式(2)で示される複合タングステン酸化物(B)を含む透明導電膜の製造方法であって、原料粉末として、平均粒径が0.05〜5.0μm、及び最大粒子径が15.0μm以下であるタングステン酸化物、及び/または複合タングステン酸化物を用い、エアロゾルデポジション法で、透明基材上に透明導電膜を形成することを特徴とする透明導電膜の製造方法など。透明導電膜は、5.0×10-3Ω/□を下回る導電性を持ち、これを組み入れることで透明導電部材、並びに、電子ディスプレイ機器、太陽電池を安価に製造できる。WyOz・・・(1)MxWyOz・・・(2)【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示されるタングステン酸化物(A)、及び/または下記一般式(2)で示される複合タングステン酸化物(B)を含む透明導電膜の製造方法であって、原料粉末として、平均粒径が0.05〜5.0μm、及び最大粒子径が15.0μm以下であるタングステン酸化物、及び/または複合タングステン酸化物を用い、エアロゾルデポジション法で、透明基材上に透明導電膜を形成することを特徴とする透明導電膜の製造方法。 WyOz・・・ (1) (但し、Wはタングステン、Oは酸素であり、z、yは2.2 ≦z/y≦2.999の関係にある) MxWyOz・・・ (2) (但し、M元素は、H、He、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類元素、Zr、Cr、Mn、Fe、Ru、Co、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Al、Ga、In、Tl、Si、Ge、Sn、Pb、Sb、B、F、P、S、Se、Br、Te、Ti、Nb、V、Mo、Ta、Re、Be、Hf、Os、Bi、又はIから選択される1種以上の元素であり、x、z、yは、0.001≦x/y≦1、2.2≦z/y≦3.0の関係にある)

IPC (3件)：

H01B 13/00 ,  H01B 5/14 ,  H01L 31/04

FI (4件)：

H01B13/00 503B ,  H01B5/14 A ,  H01L31/04 H ,  H01L31/04 M

Fターム (34件)：

5C027AA01 ,  5F051AA02 ,  5F051AA03 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051CA02 ,  5F051CA03 ,  5F051CA04 ,  5F051CA15 ,  5F051EA10 ,  5F051EA16 ,  5F051FA02 ,  5F051FA06 ,  5F051GA03 ,  5F151AA02 ,  5F151AA03 ,  5F151AA04 ,  5F151AA05 ,  5F151CA02 ,  5F151CA03 ,  5F151CA04 ,  5F151CA15 ,  5F151EA10 ,  5F151EA16 ,  5F151FA02 ,  5F151FA06 ,  5F151GA03 ,  5G307FA01 ,  5G307FA02 ,  5G307FB01 ,  5G307FC10 ,  5G323BA02 ,  5G323BB06 ,  5G323BC01