特許

J-GLOBAL ID：201003018716642863

配線基板の製造方法および配線基板製造装置

発明者： 細見 浩昭 ,  小松 孝一郎
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  須澤 修 ,  宮坂 一彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-036257
公開番号（公開出願番号）：特開2010-192733
出願日： 2009年02月19日
公開日（公表日）： 2010年09月02日
要約：

【課題】高精細および高密度な配線基板を、品質を安定させ生産する。【解決手段】描画データMに基づいて、液状体吐出手段14からパターン形成材料を含む液状体を基板Bに吐出して、前記基板Bに配線パターンCを描画する配線基板の製造方法であって、前記描画データMを、第1描画データMAと第2描画データMBとに分類する描画データ処理工程S2と、前記第1描画データMAに基づいて、前記基板Bに前記液状体で第1配線パターンCAを描画する第1描画工程S3と、描画された前記第1配線パターンCAの描画欠陥を検出する検出工程S4と、検出された前記第1配線パターンCAの描画欠陥に前記液状体を再吐出して補修するとともに、前記第2描画データMBに基づいて、前記基板Bに前記液状体で第2配線パターンCBを描画する第2描画工程S5と、を有する。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

描画データに基づいて、液状体吐出手段からパターン形成材料を含む液状体を基板に吐出して、前記基板に配線パターンを描画する配線基板の製造方法であって、 前記描画データを、第1描画データと第2描画データとに分類する描画データ処理工程と、 前記第1描画データに基づいて、前記基板に前記液状体で第1配線パターンを描画する第1描画工程と、 描画された前記第1配線パターンの描画欠陥を検出する検出工程と、 検出された前記第1配線パターンの描画欠陥に前記液状体を再吐出して補修するとともに、前記第2描画データに基づいて、前記基板に前記液状体で第2配線パターンを描画する第2描画工程と、を有することを特徴とする配線基板の製造方法。

IPC (2件)：

H05K 3/00 ,  H05K 3/10

FI (2件)：

H05K3/00 Q ,  H05K3/10 D

Fターム (10件)：

5E343BB02 ,  5E343BB13 ,  5E343BB72 ,  5E343DD13 ,  5E343DD15 ,  5E343ER33 ,  5E343ER51 ,  5E343FF05 ,  5E343GG06 ,  5E343GG08