オンチップメモリセルおよびその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：龍華国際特許業務法人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-551901
公開番号（公開出願番号）：特表2010-519781
出願日： 2008年03月21日
公開日（公表日）： 2010年06月03日
要約：

トライゲートアクセストランジスタ(145)およびトライゲートコンデンサ(155)を含む、オンチップメモリセル。オンチップメモリセルは、既存のトライゲートロジックトランジスタの製造プロセスを完全に使用できる、立体トライゲートトランジスタおよびコンデンサ構造上の混載DRAMであってよい。本発明の実施形態は、フィンアスペクト比の高さとトライゲートトランジスタの本質的に優れた表面積とを用いて、反転モードのトライゲートコンデンサを有する汎用DRAMの「トレンチ」コンデンサの代替とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：