特許
J-GLOBAL ID：201003019437624428
窒化物系半導体発光素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
, 荒川 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-258396
公開番号（公開出願番号）：特開2010-092903
出願日： 2008年10月03日
公開日（公表日）： 2010年04月22日
要約：
【課題】良好な光取出し効率を有する窒化物系半導体発光素子を良好な制御性で簡便に製造し得る方法を提供する。【解決手段】窒化物系半導体発光素子の製造方法において、ウエハ状基板(1)の上面上で複数の発光素子形成領域間の境界(31)に沿って横断面が末広がりの側辺を有する絶縁膜(1A)を形成し、発光素子に含まれる窒化物系半導体積層構造を堆積し、絶縁膜を除去し、ウエハ状基板を分割して複数の発光素子を得る工程を含み、発光素子の各々に含まれる窒化物系半導体積層構造の側面は絶縁膜の側面の形状が転写された形状を含んでいることを特徴としている。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
ウエハ状基板の上面上で複数の発光素子形成領域間の境界に沿って横断面が末広がりの側辺を有する絶縁膜を形成し、
前記発光素子に含まれる窒化物系半導体積層構造を堆積し、
前記絶縁膜を除去し、
前記ウエハ状基板を分割して複数の前記発光素子を得る工程を含み、
前記発光素子の各々に含まれる前記窒化物系半導体積層構造の側面は、前記絶縁膜の側面の形状が転写された形状を含んでいることを特徴とする窒化物系半導体発光素子の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
5F041AA03
, 5F041CA04
, 5F041CA12
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041CA76
, 5F041CA88
