特許

J-GLOBAL ID：201003020144129358

電界効果トランジスタの不動態化のための方法

発明者： リヒャルト フィックス ,  オリヴァー ヴォルスト ,  シュテファン へネック ,  アレクサンダー マルティン ,  マルティン レ-フー
出願人/特許権者： ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング
代理人 (8件)： 矢野 敏雄 ,  山崎 利臣 ,  久野 琢也 ,  杉本 博司 ,  高橋 佳大 ,  星 公弘 ,  二宮 浩康 ,  アインゼル・フェリックス=ラインハルト
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-261718
公開番号（公開出願番号）：特開2010-122217
出願日： 2009年11月17日
公開日（公表日）： 2010年06月03日
要約：

【課題】少なくとも1つのソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極とを有する電界効果トランジスタの不動態化において、従来技術の問題点を解決する。【解決手段】少なくとも1つの化学的感受性の電極を有する半導体構成素子の不動態化のために、少なくとも、該化学的感受性の電極を、ガラス層もしくはガラスセラミック層の施与によって覆い隠す。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

少なくとも1つの化学的感受性の電極(17)を有する半導体構成素子(1)の不動態化のための方法において、少なくとも化学的感受性の電極(17)を、ガラス層もしくはガラスセラミック層(15)の施与によって覆い隠すことを特徴とする不動態化方法。

IPC (4件)：

G01N 27/00 ,  H01L 29/78 ,  G01N 27/414 ,  G01N 27/12

FI (4件)：

G01N27/00 J ,  H01L29/78 301U ,  G01N27/30 301U ,  G01N27/12 B

Fターム (24件)：

2G046BA01 ,  2G046BB02 ,  2G046BJ02 ,  2G046EA02 ,  2G046EA18 ,  2G060AA01 ,  2G060AA05 ,  2G060AF06 ,  2G060DA22 ,  5F140AC37 ,  5F140BA00 ,  5F140BA02 ,  5F140BA04 ,  5F140BA06 ,  5F140BD04 ,  5F140BD07 ,  5F140BD11 ,  5F140BJ03 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ08 ,  5F140CC02 ,  5F140CC16 ,  5F140CC19