特許
J-GLOBAL ID：201003020166963017

グラファイト薄膜の製造方法および製造装置

発明者：
前田 文彦

前田 文彦 について

, 
日比野 浩樹

日比野 浩樹 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (3件)： 山川 政樹 ,  黒川 弘朗 ,  山川 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-120636
公開番号（公開出願番号）：特開2010-269944
出願日： 2009年05月19日
公開日（公表日）： 2010年12月02日
要約：
【課題】自由度の高い成長条件で、大規模集積化のための微細加工に適した大きさで、かつ単一結晶領域が実用的な大きさであり、欠陥が少ない高品質で、層数を原子層単位で精密に制御したグラフェンの層が形成できるようにする。【解決手段】真空チャンバ102の内部に基板101を配置し、排気部103を動作させ、真空チャンバ102の内部を分子流領域の圧力に減圧する。次に、ガス送出部104を動作させ、原料ガス供給部106より供給される例えばエタノールガスを基板101の上に送出させる。加えて、真空チャンバ102の内部に配置された分解部105を動作させ、分解部105を構成するタングステンフィラメントが2000°C程度に加熱する状態とし、上述したように送出されるエタノールガスを通過させることで分解し、これが基板101の上に送出される状態とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
処理室の内部に基板を配置して前記処理室内を分子流領域の圧力に減圧する第1工程と、 炭化水素のガスを前記処理室の内部で電圧の印加により加熱したフィラメントからなる分解手段を通過させることで分解して前記基板の上に送出し、前記基板の表面にグラフェンの層を形成する第2工程と を少なくとも備えることを特徴とするグラファイト薄膜の製造方法。
IPC (1件)：
C01B 31/04
FI (1件)：
C01B31/04 101Z
Fターム (14件)：
4G146AA02 ,  4G146AB07 ,  4G146BA11 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BC09 ,  4G146BC27 ,  4G146BC29 ,  4G146BC34A ,  4G146BC34B ,  4G146DA04 ,  4G146DA32 ,  4G146DA40 ,  4G146DA48
引用特許：
審査官引用 (4件)
  • 特開平1-167211
  • 特開昭61-247611
  • 特開平1-138111
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引用文献：
審査官引用 (2件)

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