特許
J-GLOBAL ID:201003020247876739

カーボンナノチューブ被覆シリコン/金属複合粒子及びその製造方法、並びにこれを利用した二次電池用負極及び二次電池

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (6件): 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  小林 良博 ,  出野 知 ,  蛯谷 厚志
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-237589
公開番号(公開出願番号):特開2010-095797
出願日: 2009年10月14日
公開日(公表日): 2010年04月30日
要約:
【課題】シリコン電極素材の商用化における最大の問題である充放電中に発生する電極素材の大きな体積変化を制御し、さらに、シリコンの低い電気伝導度の性質を向上させた電極素材(すなわち、電極活物質)の製造方法、並びにこれを利用した二次電池用負極及び二次電池を提供する。【解決手段】シリコンと金属との複合粒子の表面上にカーボンナノチューブが被覆されていることを特徴とするカーボンナノチューブ被覆シリコン/金属複合粒子を製造し、集電体とカーボンナノチューブ被覆シリコン/金属複合粒子を含む負極活物質とを含む二次電極用負極を用いて二次電池を製造する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
シリコンと金属との複合粒子の表面上にカーボンナノチューブが被覆されていることを特徴とするカーボンナノチューブ被覆シリコン/金属複合粒子。
IPC (3件):
B22F 1/02 ,  H01M 4/38 ,  H01M 4/36
FI (5件):
B22F1/02 D ,  B22F1/02 A ,  H01M4/38 Z ,  H01M4/36 C ,  H01M4/36 E
Fターム (47件):
4G072AA01 ,  4G072AA20 ,  4G072HH01 ,  4G072MM26 ,  4G072QQ06 ,  4G072QQ09 ,  4G072UU15 ,  4G146AA11 ,  4G146AD23 ,  4G146AD25 ,  4G146BB22 ,  4G146BC42 ,  4G146BC43 ,  4G146BC46 ,  4K018BA02 ,  4K018BA03 ,  4K018BA04 ,  4K018BA07 ,  4K018BA09 ,  4K018BA10 ,  4K018BA14 ,  4K018BB05 ,  4K018BC03 ,  4K018BC09 ,  4K018BC22 ,  4K018BC28 ,  4K018BD10 ,  5H050AA07 ,  5H050AA08 ,  5H050AA13 ,  5H050AA19 ,  5H050BA16 ,  5H050CB08 ,  5H050CB11 ,  5H050CB29 ,  5H050DA09 ,  5H050DA10 ,  5H050EA02 ,  5H050EA03 ,  5H050EA04 ,  5H050EA10 ,  5H050FA16 ,  5H050FA17 ,  5H050FA18 ,  5H050GA24 ,  5H050HA02 ,  5H050HA04
引用特許:
審査官引用 (4件)
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