特許

J-GLOBAL ID：201003020347322757

半導体装置

発明者： 齋 藤 渉
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (5件)： 吉武 賢次 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康 ,  箱崎 幸雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-061209
公開番号（公開出願番号）：特開2010-219117
出願日： 2009年03月13日
公開日（公表日）： 2010年09月30日
要約：

【課題】窒化物半導体を用いたHFETまたはショットキーダイオードにおける信頼性を高める。【解決手段】第1および第2の電極上に積層するように形成された第1および第2のフィールドプレート電極の少なくともいずれかにおいて、前記第1の電極から第2の電極へと向かう第1の方向における長さを、前記第1の方向に直交する第2の方向において周期的に変化させる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ノンドープAlXGa1-XN(0≦X<1)で形成される第1の半導体層と、 前記第1の半導体層上に形成されたノンドープまたはn型のAlYGa1-YN(0<Y≦1、X<Y)で形成される第2の半導体層と、 前記第2の半導体層上に形成された第1の電極と、 前記第2の半導体層上で前記第1の電極から離隔するように形成され前記第2の半導体層に電気的に接続された第2の電極と、 前記第2の半導体層上で前記第1および第2の電極を覆うように形成された第1の絶縁膜と、 前記第1の絶縁膜上に形成され、前記第1の電極に電気的に接続された第1のフィールドプレート電極と、 前記第1のフィールドプレート電極を覆うように形成された第2の絶縁膜と、 前記第2の絶縁膜上に形成された第2のフィールドプレート電極と、 を備え、 前記第1のフィールドプレート電極および前記第2のフィールドプレート電極の少なくともいずれかは、前記第1の電極から前記第2の電極へと向かう第1の方向における長さが、前記第1の方向に直交する第2の方向において周期的に変化していることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/06

FI (4件)：

H01L29/80 L ,  H01L29/48 F ,  H01L29/80 H ,  H01L29/06 301F

Fターム (27件)：

4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104FF07 ,  4M104FF10 ,  4M104FF11 ,  4M104GG03 ,  4M104GG08 ,  4M104GG12 ,  5F102FA01 ,  5F102FA02 ,  5F102FA06 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR12 ,  5F102GS07