特許
J-GLOBAL ID:201003020496695728

導電性薄膜基板及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件): 大谷 保 ,  東平 正道 ,  塚脇 正博 ,  片岡 誠 ,  平澤 賢一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-132459
公開番号(公開出願番号):特開2010-277974
出願日: 2009年06月01日
公開日(公表日): 2010年12月09日
要約:
【課題】導電性パターンを形成する金属膜の膜厚を薄くしつつ、導電性及び基材と導電性パターンとの密着性に優れ、かつ容易に製造することができる導電性薄膜基板及びその製造方法を提供すること。【解決手段】基材上に、金属又は金属酸化物微粒子が焼結した二次焼結粒子が融着してなる融着薄膜を有し、該融着薄膜の厚さが20〜120nmである導電性薄膜基板である。【選択図】なし
請求項(抜粋):
基材上に、金属又は金属酸化物微粒子が焼結した二次焼結粒子が融着してなる融着薄膜を有し、該融着薄膜の厚さが20〜120nmである導電性薄膜基板。
IPC (2件):
H01B 5/14 ,  H01B 13/00
FI (4件):
H01B5/14 Z ,  H01B13/00 503Z ,  H01B5/14 B ,  H01B13/00 503D
Fターム (5件):
5G307GA06 ,  5G307GB02 ,  5G307GC02 ,  5G323CA03 ,  5G323CA05

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