特許
J-GLOBAL ID：201003020653839682
半導体製造装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
原田 洋平
, 森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-128366
公開番号（公開出願番号）：特開2010-278167
出願日： 2009年05月28日
公開日（公表日）： 2010年12月09日
要約：
【課題】ガスライン圧力を適正に校正する機構により原料ガス供給量を制御し、成長速度、或いは組成比変動による歩留低下を抑制することができる半導体製造装置を提供する。【解決手段】流量制御部10の制御により、キャリアガス流量×原料ガス濃度/(1-原料ガス濃度)が一定となるように、バブリングマスフローコントローラー6によりキャリアガス15の流量を制御することにより、原料ガスの濃度を一定に保つ。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に半導体を形成して半導体装置を製造する半導体製造装置であって、
前記半導体の原料ガスを圧力校正しながら供給する原料ガス供給装置が設けられ、
前記原料ガス供給装置は、
流量制御されたキャリアガスが導入され、前記キャリアガスとともに前記原料ガスを供給する原料容器と、
前記基板が設置される反応室と、
前記原料容器から前記反応室に前記原料ガスを供給するために接続されたガスラインと、
流量制御された第二のキャリアガスを前記原料容器に対して側路させるバイパスラインと、
前記ガスラインを通過するガス濃度を測定してガス伝播速度を計算する濃度測定器と、
前記ガスラインのガス圧力を測定する圧力測定器と、
前記圧力測定器による圧力測定値に基づいて前記ガスラインのガス圧力を制御する圧力制御バルブと、
前記第二のキャリアガスについて前記ガス圧力と前記ガス伝播速度とを相関させたデータを記憶するデータベースと、
前記濃度測定器で測定した前記第二のキャリアガスのガス濃度から得られたガス伝播速度を前記データベースのデータと比較演算する演算部とを備え、
前記演算部による比較演算結果に基づいて前記圧力測定器で測定された前記ガスラインのガス圧力を校正しながら、
前記ガスラインのガス圧力が一定になるように前記圧力制御バルブを調節し、
その状態で、前記濃度測定器で測定された前記ガスラインのガス濃度が一定になるように、前記キャリアガスの流量を制御するよう構成した
ことを特徴とする半導体製造装置。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, C23C 16/455
4K030AA11
, 4K030AA17
, 4K030CA04
, 4K030EA01
, 4K030FA10
, 4K030KA39
, 4K030KA41
, 4K030LA15
, 5F045AA04
, 5F045AB09
, 5F045AC08
, 5F045BB01
, 5F045CA07
, 5F045EE03
, 5F045EE04
, 5F045EE05
, 5F045EE17
, 5F045GB06
