特許
J-GLOBAL ID：201003021852999970
シリコン単結晶の製造方法、シリコン単結晶の温度推定方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-132200
公開番号（公開出願番号）：特開2010-275170
出願日： 2009年06月01日
公開日（公表日）： 2010年12月09日
要約：
【課題】大口径のシリコン単結晶の育成時における結晶温度分布を予測し、所望の結晶特性を持つ大口径のシリコン単結晶を容易に製造することが可能なシリコン単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】直径r1の第一のシリコン単結晶で検証した伝熱解析プログラムに対して、直径r1よりも大口径の直径r2を持つ第二のシリコン単結晶、例えば、直径300mmのシリコン単結晶を引上げる際に使用するメインチャンバ内の第二整流体を成す断熱材の熱伝導率の理論値や、第二のシリコン単結晶を収容する第二チャンバ内壁の輻射率の理論値を入力して、小口径のシリコン単結晶の育成時の実測値で最適化させた伝熱解析プログラムを、実際に育成した第二のシリコン単結晶の結晶欠陥分布から想定される育成時の結晶温度分布に合致するように修正することによって、大口径のシリコン単結晶育成時の結晶温度分布を、実測することなく正確に予測することが可能になる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
チャンバの内部に収容された坩堝にシリコンを貯留し、当該シリコンを加熱してシリコン融液とし、当該シリコン融液に種結晶を浸漬して回転させながら引き上げることにより、前記種結晶からシリコン単結晶を育成するシリコン単結晶の製造方法であって、
第一の育成条件で第一のシリコン単結晶を育成する際に、チャンバの内部の所定の部位の温度を実測する実測工程と、
該実測工程によって得られた実測温度値と、育成した前記第一のシリコン単結晶の結晶欠陥分布とを用いて、シリコン単結晶の結晶温度分布を推定する伝熱解析プログラムの熱パラメータを、前記第一のシリコン単結晶に合わせて最適化する第一の最適化工程と、
該第一の最適化工程を経た伝熱解析プログラムを用いて、前記第一のシリコン単結晶とは異なる第二のシリコン単結晶の結晶温度分布を推定する第一の推定工程と、
該第一の推定工程によって推定した第二のシリコン単結晶の結晶温度分布と、育成した前記第二のシリコン単結晶の結晶欠陥分布とを比較して、伝熱解析プログラムの熱パラメータを第二のシリコン単結晶に合致するように最適化する第二の最適化工程と、
該第二の最適化工程を経た伝熱解析プログラムを用いて、第二のシリコン単結晶の結晶温度分布を推定する第二の推定工程と、
該第二の推定工程の結果に基づいて育成時の温度制御を行い、第二の育成条件による第二のシリコン単結晶を育成する育成工程と、
を備えたことを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B29/06 502Z
, C30B15/20
4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077CF10
, 4G077EH06
, 4G077HA12
, 4G077PF13
