特許
J-GLOBAL ID：201003022559045721
気相成長装置及び気相成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
特許業務法人原謙三国際特許事務所
, 田畑 昌男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-077944
公開番号（公開出願番号）：特開2010-232402
出願日： 2009年03月27日
公開日（公表日）： 2010年10月14日
要約：
【課題】 シャワーヘッドのガス吐出孔の塞がりを防止することにより、供給される反応ガス流のばらつきの発生を抑制し、被処理基板上での膜均一性及び膜の再現性を確保し得る気相成長装置及び気相成長方法を提供する。【解決手段】 反応炉内に、複数のガス吐出孔を配設したシャワーヘッドと、上記シャワーヘッドに対向して設けられ、かつ複数のプレート孔を配設したシャワープレートとを備え、上記シャワーヘッドから、該シャワーヘッドのガス吐出孔及びシャワープレートのプレート孔を通して被処理基板を収容する成長室内にガスを供給して被処理基板に成膜する気相成長装置であり、基板保持部材の基板加熱ヒータによって加熱される領域より外側かつ、上記基板保持部材との対向面であって、上記シャワーヘッドにシャワープレートが近接して配置されている面において、低熱伝導の領域が形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
反応炉内に、被処理基板を載置する基板保持部材と、被処理基板加熱する基板加熱ヒータと、複数のガス吐出孔を配設したシャワーヘッドと、上記シャワーヘッドに載置され、かつ複数のプレート孔を配設したシャワープレートとを備え、上記シャワーヘッドから、該シャワーヘッドのガス吐出孔及びシャワープレートのプレート孔を通して被処理基板を収容する成長室内にガスを供給して被処理基板に成膜する気相成長装置において、
上記基板保持部材の基板加熱ヒータによって加熱される領域より外側かつ、上記基板保持部材との対向面であって、上記シャワーヘッドにシャワープレートが近接して配置されている面において、低熱伝導の領域が形成されていることを特徴とする気相成長装置。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, C23C 16/455
4K030AA05
, 4K030AA08
, 4K030AA11
, 4K030AA13
, 4K030AA17
, 4K030AA18
, 4K030BB01
, 4K030CA17
, 4K030EA04
, 4K030FA10
, 4K030GA06
, 4K030KA02
, 4K030KA26
, 4K030LA14
, 5F045AA04
, 5F045BB02
, 5F045EF05
