特許

J-GLOBAL ID：201003022571971542

不揮発性半導体メモリ及びその製造方法

発明者： 山本 和彦 ,  八尋 和之 ,  中居 司
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (21件)： 鈴江 武彦 ,  蔵田 昌俊 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  福原 淑弘 ,  峰 隆司 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  幸長 保次郎 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  風間 鉄也 ,  勝村 紘 ,  河井 将次 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子 ,  竹内 将訓 ,  市原 卓三 ,  山下 元
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-008192
公開番号（公開出願番号）：特開2010-165950
出願日： 2009年01月16日
公開日（公表日）： 2010年07月29日
要約：

【課題】炭素系材料を抵抗変化膜に用いた不揮発性メモリ素子において、炭素膜と電極界面の特性を安定化させ、ひいては抵抗変化特性を安定して動作させうる不揮発性メモリ素子とその製造方法とを提供する。【解決手段】炭素系の膜を抵抗変化層として用いた不揮発性半導体メモリであって、基板11上に設けられた下部電極12と、下部電極12上に設けられた、窒素を含み炭素を主成分とする膜からなるバッファ層13と、バッファ層13上に設けられた、炭素を主成分とする膜からなり、電圧印加又は通電によって電気抵抗率が変化する抵抗変化層14と、抵抗変化層14上に設けられた上部電極16とを備えた。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

基板上に設けられた下部電極と、 前記下部電極上に設けられた、窒素を含み炭素を主成分とする膜からなる第1のバッファ層と、 前記第1のバッファ層上に設けられた、炭素を主成分とする膜からなり、電圧印加又は通電によって電気抵抗率が変化する抵抗変化膜と、 前記抵抗変化膜上に設けられた上部電極と、 を具備してなることを特徴とする不揮発性半導体メモリ。

IPC (5件)：

H01L 27/10 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/66

FI (5件)：

H01L27/10 451 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z ,  H01L29/06 601N ,  H01L29/66 C

Fターム (21件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA02 ,  5F083GA09 ,  5F083GA25 ,  5F083GA27 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA42 ,  5F083JA56 ,  5F083JA60 ,  5F083LA02 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083PR03 ,  5F083PR18 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F083ZA20