特許

J-GLOBAL ID：201003024012073820

リッジ型半導体レーザ

発明者： 高木 和久
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (2件)： 高田 守 ,  高橋 英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-269299
公開番号（公開出願番号）：特開2010-098201
出願日： 2008年10月20日
公開日（公表日）： 2010年04月30日
要約：

【課題】別途エッチングストッパ層を追加することなく選択エッチングによりリッジを形成でき、閾値電流が小さく、効率が良いリッジ型半導体レーザを得る。【解決手段】n型InP基板10(基板)上に、n型InPクラッド層12(n型クラッド層)、InGaAsP多重量子井戸層16(InGaAsP活性層)、第1のp型InPクラッド層20、p型Al(Ga)InAs電子障壁層22、第2のp型InPクラッド層24及びp型InGaAsPコンタクト層26(p型コンタクト層)が順番に形成されている。そして、p型Al(Ga)InAs電子障壁層22をエッチングストッパ層として、p型InGaAsPコンタクト層26及び第2のp型InPクラッド層24が選択エッチングされてリッジ28が形成されている。リッジ28と第1のp型InPクラッド層20との間の全面にp型Al(Ga)InAs電子障壁層22が存在する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に、n型クラッド層、InGaAsP活性層、第1のp型InPクラッド層、p型Al(Ga)InAs電子障壁層、第2のp型InPクラッド層及びp型コンタクト層が順番に形成され、 前記p型Al(Ga)InAs電子障壁層をエッチングストッパ層として、前記p型コンタクト層及び前記第2のp型InPクラッド層が選択エッチングされてリッジが形成され、 前記リッジと前記第1のp型InPクラッド層との間の全面に前記p型Al(Ga)InAs電子障壁層が存在することを特徴とするリッジ型半導体レーザ。

IPC (4件)：

H01S 5/22 ,  H01S 5/343 ,  H01S 5/12 ,  G02F 1/015

FI (4件)：

H01S5/22 ,  H01S5/343 ,  H01S5/12 ,  G02F1/015 505

Fターム (16件)：

2H079AA02 ,  2H079BA01 ,  2H079CA04 ,  2H079DA16 ,  2H079EA07 ,  5F173AA08 ,  5F173AB13 ,  5F173AD14 ,  5F173AG05 ,  5F173AG17 ,  5F173AH14 ,  5F173AP32 ,  5F173AP33 ,  5F173AP37 ,  5F173AR64 ,  5F173AR94

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-254388   出願人：住友電気工業株式会社